[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202111482086.2
• 申請日: 2021-12-07
• 公開（公告）號: CN114171601A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 張羿;葛世民
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 蔡艾瑩

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

有源層，設置于所述襯底上；

保護層，設置于所述有源層遠離所述襯底的一側，所述保護層包括保護部、第一導通部以及第二導通部，所述第一導通部以及所述第二導通部位于所述保護部的兩側，所述保護部能夠阻擋包含氫元素的物質，所述第一導通部以及所述第二導通部能夠導電；

源極，設置于所述第一導通部遠離所述有源層的一側；

漏極，設置于所述第二導通部遠離所述有源層的一側。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護部的材料包括致密的金屬氧化物。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括第一鈍化層，設置于所述保護部、所述源極以及所述漏極遠離所述有源層的一側。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層包括氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的一種或多種組合。

5.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成有源層；

在所述有源層遠離所述襯底的一側形成保護層，所述保護層包括保護部、第一導通部以及第二導通部，所述第一導通部以及第二導通部位于所述保護部的兩側，所述保護部能夠阻擋包含氫元素的物質，所述第一導通部以及所述第二導通部能夠導電；

在所述第一導通部遠離所述有源層的一側形成源極；

在所述第二導通部遠離所述有源層的一側形成漏極。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述有源層遠離所述襯底的一側形成保護層的步驟，包括：

在所述有源層遠離所述襯底的一側形成致密的金屬氧化層；

對金屬氧化層劃分為保護部、第一導通部以及第二導通部；

對所述第一導通部以及所述第二導通部進行導體化處理。

7.根據權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在進行對所述第一導通部以及所述第二導通部進行導體化處理的步驟之前，還包括：

在所述金屬氧化層遠離所述襯底的一側形成光刻膠；

對所述光刻膠進行刻蝕以顯露所述第一導通部以及所述第二導通部。

8.根據權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在進行對所述第一導通部以及所述第二導通部進行導體化處理的步驟，包括：

對所述第一導通部以及所述第二導通部通入氣體，所述氣體能夠使得所述第一導通部以及所述第二導通部導體化。

9.根據權利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述第二導通部遠離所述有源層的一側形成漏極的步驟之后，還包括：

在所述保護部、所述源極以及所述漏極遠離所述有源層的一側設置第一鈍化層。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至4任一項所述的陣列基板。