[發明專利]一種半導體結構的制備方法、半導體結構和半導體存儲器

在審

• 申請號: 202111478194.2
• 申請日: 2021-12-06
• 公開（公告）號: CN116249342A
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 于業笑;陳龍陽;劉忠明;孔忠
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00;H01L21/311
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張競存;張穎玲

1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底；所述襯底包括：有源區；

在所述襯底上依次沉積第一介質層和第一阻擋層；

在所述第一阻擋層上形成包括第一刻蝕圖形的第一掩膜；其中，所述第一刻蝕圖形包括：沿第一方向延伸的溝槽和均勻分布的刻蝕孔；其中，所述溝槽穿過所述刻蝕孔，所述刻蝕孔的深度大于所述溝槽的深度；

沿所述第一刻蝕圖形進行刻蝕，去除所述第一阻擋層，將所述第一介質層刻蝕形成導電槽。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述沿所述第一刻蝕圖形進行刻蝕，去除所述第一阻擋層，將所述第一介質層刻蝕形成導電槽之后，所述方法還包括：

填充所述導電槽，形成導電層；

覆蓋所述導電層，沉積第二介質層。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一阻擋層上形成包括第一刻蝕圖形的第一掩膜，包括：

在所述第一阻擋層上沉積第一掩膜；

刻蝕所述第一掩膜，形成沿所述第一方向延伸的溝槽；所述溝槽的深度小于所述第一掩膜的厚度；

刻蝕所述第一掩膜，形成均勻分布的所述刻蝕孔；所述刻蝕孔貫穿所述第一掩膜；

所述溝槽和所述刻蝕孔組成所述第一刻蝕圖形，從而形成包括所述第一刻蝕圖形的所述第一掩膜。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕所述第一掩膜，形成沿所述第一方向延伸的溝槽，包括：

在所述第一掩膜上依次沉積第二阻擋層和第三阻擋層；

刻蝕所述第三阻擋層，形成沿所述第一方向延伸的心軸；所述心軸間隔設置；

覆蓋所述心軸的側面形成側墻；

以所述側墻為掩膜進行刻蝕，去除所述第二阻擋層，將所述第一掩膜刻蝕形成沿所述第一方向延伸的所述溝槽。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕所述第三阻擋層，形成沿所述第一方向延伸的心軸，包括：

在所述第三阻擋層上形成第二掩膜；所述第二掩膜包括沿所述第一方向延伸的第二刻蝕圖形；

沿所述第二刻蝕圖形刻蝕所述第三阻擋層，形成沿所述第一方向延伸的所述心軸。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述覆蓋所述心軸的側面形成側墻，包括：

沉積硬掩膜層；所述硬掩膜層覆蓋所述第二阻擋層和所述心軸；

對所述硬掩膜層進行回刻，去除所述硬掩膜層的頂部直到暴露所述心軸，保留所述硬掩膜層的側部作為所述側墻。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述以所述側墻為掩膜進行刻蝕，去除所述第二阻擋層，將所述第一掩膜刻蝕形成沿所述第一方向延伸的所述溝槽，包括：

去除所述側墻中間的所述心軸；

以所述側墻為掩膜，刻蝕所述第二阻擋層，形成第一中間結構；

以所述第一中間結構為掩膜，刻蝕所述第一掩膜，形成沿所述第一方向延伸的所述溝槽。

8.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕所述第一掩膜，形成均勻分布的所述刻蝕孔，包括：

在所述第一掩膜上沉積第四阻擋層；所述第四阻擋層覆蓋沿所述第一方向延伸的所述溝槽；

在所述第四阻擋層上形成第三掩膜；所述第三掩膜包括均勻分布的第三刻蝕圖形；

沿所述第三刻蝕圖形進行刻蝕，去除所述第四阻擋層，將所述第一掩膜刻蝕形成均勻分布的所述刻蝕孔。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述沿所述第三刻蝕圖形進行刻蝕，去除所述第四阻擋層，將所述第一掩膜刻蝕形成均勻分布的所述刻蝕孔，包括：

沿所述第三刻蝕圖形刻蝕所述第四阻擋層，形成第二中間結構；

以所述第二中間結構為掩膜進行刻蝕，將所述第一掩膜貫穿，形成均勻分布的所述刻蝕孔。