[發(fā)明專利]晶片的加工方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111475164.6 | 申請日: | 2021-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN114628324A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 岡村卓 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 楊俊波;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
本發(fā)明提供晶片的加工方法,能夠簡易地去除殘留在晶片的外周部的增強(qiáng)部。晶片的加工方法對晶片進(jìn)行加工,該晶片在正面?zhèn)染哂性谟梢韵嗷ソ徊娴姆绞匠矢褡訝钆帕械亩鄺l分割預(yù)定線劃分的多個區(qū)域內(nèi)分別形成有器件的器件區(qū)域,該晶片在背面?zhèn)染哂行纬捎谂c器件區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域的凹部,該晶片在外周部具有圍繞器件區(qū)域和凹部的環(huán)狀的增強(qiáng)部,其中,該晶片的加工方法具有如下的步驟:切削工序,將器件區(qū)域分割成多個器件芯片,并且在增強(qiáng)部形成切削槽;分割工序,以切削槽作為起點(diǎn)而將增強(qiáng)部分割;以及去除工序,從位于晶片的外側(cè)的規(guī)定的噴射位置朝向增強(qiáng)部噴射流體,由此使分割后的增強(qiáng)部朝向噴射位置的相反側(cè)飛散而去除。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶片的加工方法。
背景技術(shù)
在器件芯片的制造工序中,使用在正面?zhèn)染哂性谟沙矢褡訝钆帕械亩鄺l分割預(yù)定線(間隔道)劃分的多個區(qū)域內(nèi)分別形成有器件的器件區(qū)域的晶片。將該晶片沿著分割預(yù)定線進(jìn)行分割,由此得到分別具有器件的多個器件芯片。器件芯片組裝于移動電話、個人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備。
近年來,隨著電子設(shè)備的小型化,要求器件芯片薄型化。因此,有時在晶片的分割前實(shí)施對晶片進(jìn)行薄化的處理。在晶片的薄化中,使用磨削裝置,該磨削裝置具有對被加工物進(jìn)行保持的卡盤工作臺以及安裝有具有多個磨削磨具的磨削磨輪的磨削單元。通過卡盤工作臺對晶片進(jìn)行保持,一邊使卡盤工作臺和磨削磨輪分別旋轉(zhuǎn)一邊使磨削磨具與晶片的背面?zhèn)冉佑|,由此對晶片進(jìn)行磨削、薄化。
當(dāng)對晶片進(jìn)行磨削而薄化時,晶片的剛性降低,在磨削后的晶片的操作(搬送等)時,晶片容易破損。因此,提出了僅對晶片的背面?zhèn)戎械呐c器件區(qū)域重疊的區(qū)域進(jìn)行磨削而薄化的方法(參照專利文獻(xiàn)1)。當(dāng)使用該方法時,將晶片的中央部薄化而形成凹部,另一方面晶片的外周部未被薄化而維持較厚的狀態(tài),作為環(huán)狀的增強(qiáng)部而殘留。由此,抑制磨削后的晶片的剛性降低。
關(guān)于薄化的晶片,使用利用環(huán)狀的切削刀具對被加工物進(jìn)行切削的切削裝置等最終分割成多個器件芯片。此時,晶片在殘留于外周部的環(huán)狀的增強(qiáng)部被去除后,沿著分割預(yù)定線被切斷。例如在專利文獻(xiàn)2中公開了如下的方法:利用切削刀具呈環(huán)狀切削晶片的外周部,將器件區(qū)域與增強(qiáng)部(環(huán)狀凸部)分離之后,通過具有多個爪的爪裝配體將增強(qiáng)部提起而去除。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-19379號公報
專利文獻(xiàn)2:日本特開2011-61137號公報
如上所述,殘留于晶片的外周部的環(huán)狀的增強(qiáng)部在晶片的加工工藝中從晶片分離、去除。但是,在剛剛將增強(qiáng)部從晶片分離之后,增強(qiáng)部按照圍繞薄化而剛性降低的狀態(tài)的晶片的中央部(器件區(qū)域)的方式與器件區(qū)域接近而配置。因此,在將增強(qiáng)部去除時,有可能錯誤地使環(huán)狀的增強(qiáng)部與器件區(qū)域接觸而使器件區(qū)域損傷。
因此,為了將增強(qiáng)部適當(dāng)?shù)厝コ枰凑赵鰪?qiáng)部不與器件區(qū)域干涉的方式慎重地保持增強(qiáng)部且按照不產(chǎn)生增強(qiáng)部的搖動或位置偏移的方式提起增強(qiáng)部的作業(yè)。其結(jié)果是,增強(qiáng)部的去除中所用的機(jī)構(gòu)(爪裝配體等)的構(gòu)造復(fù)雜化而使成本增大。另外,增強(qiáng)部的去除所需的作業(yè)時間變長,作業(yè)效率降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于該問題而完成的,其目的在于提供晶片的加工方法,能夠簡易地去除殘留在晶片的外周部的增強(qiáng)部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





