[發明專利]晶片的加工方法在審
| 申請號: | 202111475164.6 | 申請日: | 2021-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN114628324A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 岡村卓 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 楊俊波;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法,對晶片進行加工,該晶片在正面側具有在由以相互交叉的方式呈格子狀排列的多條分割預定線劃分的多個區域內分別形成有器件的器件區域,該晶片在背面側具有形成于與該器件區域對應的區域的凹部,該晶片在外周部具有圍繞該器件區域和該凹部的環狀的增強部,其特征在于,
該晶片的加工方法具有如下的工序:
帶粘貼工序,在該晶片的背面側沿著該凹部和該增強部而粘貼粘接帶;
保持工序,通過第1卡盤工作臺隔著該粘接帶而對該凹部的底面進行保持;
切削工序,通過切削刀具沿著該分割預定線對該晶片進行切削,由此將該器件區域分割成多個器件芯片,并且在該增強部形成切削槽;
分割工序,對該增強部賦予外力,由此以該切削槽作為起點而將該增強部分割;以及
去除工序,從位于該晶片的外側的規定的噴射位置朝向該增強部噴射流體,由此使分割后的該增強部朝向該噴射位置的相反側飛散而去除。
2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在該去除工序中,沿著該晶片的外周緣的切線方向噴射該流體。
3.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在該分割工序中,在通過在與該晶片的該增強部對應的位置具有凹凸的第2卡盤工作臺對該晶片進行支承的狀態下,通過該第2卡盤工作臺吸引該粘接帶,由此沿著該凹凸配置該粘接帶而對該增強部進行分割。
4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在該去除工序中,在按照隔著該晶片的該增強部的方式配置了噴嘴和回收機構的狀態下,從該噴嘴朝向該增強部噴射該流體,由此使分割后的該增強部朝向該回收機構飛散而通過該回收機構進行回收。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





