[發(fā)明專(zhuān)利]限定磁道軌跡以減小AC磁道壓縮的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111473910.8
• 申請(qǐng)日: 2020-03-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114141273A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·艾德;T·濱口;M·池田;N·伊藤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11B5/596
• 分類(lèi)號(hào): G11B5/596
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 袁策

1.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其包括：

磁盤(pán)，其包括用于限定多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的伺服數(shù)據(jù)，其中每一數(shù)據(jù)磁道包括多個(gè)數(shù)據(jù)段；

磁頭，其在所述磁盤(pán)上方致動(dòng)；以及

控制電路，其配置成：

將第一數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一數(shù)據(jù)磁道的數(shù)據(jù)段；

將第二數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二數(shù)據(jù)磁道的數(shù)據(jù)段；

在寫(xiě)入所述第二數(shù)據(jù)之后，在所述第一數(shù)據(jù)磁道的多個(gè)偏離磁道偏移處讀取所述第一數(shù)據(jù)，以測(cè)量所述第一數(shù)據(jù)磁道的平均偏離磁道讀取能力(OTRC)；

生成所述第一數(shù)據(jù)磁道的第一數(shù)據(jù)段的交叉磁道輪廓；以及

使所述交叉磁道輪廓的至少部分與所測(cè)量平均OTRC相關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述第二數(shù)據(jù)磁道至少部分地與所述第一數(shù)據(jù)磁道重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路進(jìn)一步配置成：

基于所述交叉磁道輪廓與所述所測(cè)量平均OTRC的相關(guān)性，生成第三數(shù)據(jù)磁道的磁道軌跡；以及

基于所述磁道軌跡將第三數(shù)據(jù)寫(xiě)入到所述第三數(shù)據(jù)磁道的所述數(shù)據(jù)段。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路進(jìn)一步配置成基于所述第三數(shù)據(jù)磁道的交叉磁道輪廓的至少部分，生成所述第三數(shù)據(jù)磁道的所述磁道軌跡。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路進(jìn)一步配置成基于所述第三數(shù)據(jù)磁道的交叉磁道輪廓的拐點(diǎn)，生成所述第三數(shù)據(jù)磁道的所述磁道軌跡。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路進(jìn)一步配置成：

針對(duì)所述第一數(shù)據(jù)磁道的多個(gè)磁道間距中的每一個(gè)測(cè)量所述第一數(shù)據(jù)磁道的所述平均OTRC；

在每一磁道間距處生成所述第一數(shù)據(jù)磁道的所述第一數(shù)據(jù)段的所述交叉磁道輪廓；以及

在每一磁道間距處使每一交叉磁道輪廓的至少部分與所述所測(cè)量平均OTRC相關(guān)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路進(jìn)一步配置成生成磁道軌跡，以實(shí)現(xiàn)第三數(shù)據(jù)磁道的目標(biāo)磁道間距。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中當(dāng)在多個(gè)偏離磁道偏移處對(duì)所述第一數(shù)據(jù)段進(jìn)行讀取時(shí)，基于所測(cè)量的質(zhì)量度量來(lái)生成所述交叉磁道輪廓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述質(zhì)量度量包括所述第一數(shù)據(jù)段的誤差率。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中：

所述第一數(shù)據(jù)由第一周期性模式組成，所述第一周期性模式由第一轉(zhuǎn)變頻率組成；

所述第二數(shù)據(jù)由第二周期性模式組成，所述第二周期性模式由第二轉(zhuǎn)變頻率組成；且

所述質(zhì)量度量包括信噪比(SNR)測(cè)量值。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路進(jìn)一步配置成基于所述第一數(shù)據(jù)磁道的扇區(qū)故障率，生成所述第一數(shù)據(jù)磁道的所述平均OTRC。