[發明專利]一種堿性微蝕粗化液及電路板引線粗化方法

在審

• 申請號: 202111473832.1
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號: CN114134505A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 常志東;王小剛;俞文杰
• 申請（專利權）人: 上海貝尼塔實業有限公司
• 主分類號: C23F1/34
• 分類號: C23F1/34;C23F1/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供一種堿性微蝕粗化液及電路板引線粗化方法，堿性微蝕粗化液包括A溶液和B溶液，所述A溶液組分包括醇胺、有機酸、緩蝕劑、表面活性劑和水溶液；所述B溶液組分包括醇胺、有機酸、有機銅、緩蝕劑、表面活性劑和水溶液。在電路板引線粗化方法中使用堿性微蝕粗化液能夠對線路板線路的表面進行微蝕粗化，且不會與線路板引線表面銀、鎳反應而使銀、鎳表面變色、發黑，提高芯片打線焊接的可靠性以及芯片成型的可靠性，并簡化了工藝流程。

技術領域

本發明涉及銅表面微蝕粗化技術領域，尤其涉及一種堿性微蝕粗化液及電路板引線粗化方法。

背景技術

引線框架是半導體封裝的基礎材料，其作為集成電路的芯片載體，借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，起到和外部導線連接的橋梁作用。其主要功能就是為電路連接、散熱、機械支撐等作用。隨著電子產品向小而精的方向發展，鍍銀、鍍鎳引線框架的應用也越來越廣。鍍銀可以提高引線框架的焊接和導電性能，且銀的反光性能高，可以有效提升產品亮度(主要LED產品)。鍍鎳可以提升引線框架表面硬度，拋光性能，同時提高引線框架在空氣中的穩定性。

為了提高電路板芯片打線焊接和成型的可靠性，需要使用微蝕粗化液對引線框架進行粗化步驟，而傳統的微蝕粗化液主要為有機酸體系或硫酸—雙氧水體系兩類，這兩類微蝕粗化液都會和銀、鎳反應，生成氧化銀(Ag2O)、三氧化二鎳(Ni2O3)，導致引線框架線路上的銀、鎳表面變色、發黑，焊接性能、導電性能下降。因此，傳統的微蝕粗化只能放在鍍銀(鍍鎳)之前的流程，這種工藝主要的弊端在于無法處理引線框架在粗化后各工序中產生的水印、氧化及污漬。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種可對銅表面進行微蝕、粗化的同時，又不會對銅表面的銀、鎳晶氧化反應的堿性微蝕粗化液，使用堿性微蝕粗化液的電路板引線粗化方法，可以清潔前工序線路表面(銀面、鎳面等)產生的水印、氧化及污漬。

為解決上述技術問題，本發明提供的一種堿性微蝕粗化液，包括A溶液和B溶液，所述A溶液組分包括(質量百分比濃度)醇胺10％-40％、有機酸2％-8％、緩蝕劑0.1％-1％、表面活性劑0.1％-0.3％和水溶液51％-86％；

所述B溶液組分包括(質量百分比濃度)醇胺10％-40％、有機酸2％-8％、有機銅1.8％-10％、緩蝕劑0.1％-1％、表面活性劑0.1％-0.3％和水溶液42％-86％。

進一步的，所述醇胺為一乙醇胺、N-甲基一乙醇胺、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、三乙醇胺的一種或兩種及以上的混合物。

進一步的，所述有機酸為甲酸、乙酸、丙酸、丙烯酸、乙醇酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、甲基磺酸中的一種或兩種及以上的混合物。

進一步的，所述有機銅為甲酸銅、乙酸銅、丙酸銅、丙烯酸銅、乙醇酸銅、乳酸銅、蘋果酸銅、檸檬酸銅、甲基磺酸銅中的一種或兩種及以上的混合物。

進一步的，所述緩蝕劑為唑類化合物。

進一步的，所述緩蝕劑為巰基苯并咪唑(MBI)、巰基苯并惡唑(MBO)、1-苯基-5-巰基四氮唑(PMTA)中的一種或兩種及以上的混合物。

進一步的，所述表面活性劑為α-烯基磺酸鈉。

本申請還提供了一種使用上述堿性微蝕粗化液的電路板引線粗化方法，所述方法包括以下步驟：

清潔，使用化學清潔或磨刷對電路板進行清潔；

第一次水洗，將清潔后的電路板在室溫下使用二級以上逆流水洗，水洗時長不少于15s；

粗化，經過第一次水洗的電路板放置在粗化設備的主槽內，添加B溶液在主槽內，再添加A溶液至主槽內，電路板表面進行粗化微蝕，粗化時長為20s～50s，粗化溫度為15℃～35℃；