[發明專利]刻蝕設備及刻蝕方法有效
| 申請號: | 202111472553.3 | 申請日: | 2021-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN113889395B | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發明(設計)人: | 張軍;徐惠芬 | 申請(專利權)人: | 北京芯愿景軟件技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 100095 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 刻蝕 設備 方法 | ||
本申請實施例提供一種刻蝕設備及刻蝕方法,用于對多個待刻蝕對象進行并行刻蝕,刻蝕設備包括:刻蝕腔室,包括用于對刻蝕對象進行刻蝕的刻蝕空間,刻蝕空間用于容納多個待刻蝕對象;至少一個移動部件,可移動地設置于刻蝕腔室;控制模塊,用于根據待刻蝕對象的所需刻蝕時間控制移動部件移動,以使多個待刻蝕對象依次暴露于刻蝕空間內,可以在一個刻蝕周期內實現多個待刻蝕對象的并行刻蝕,避免進行多次抽真空、換氣等輔助工藝,提高了多個待刻蝕對象的刻蝕效率。另一方面,也避免了在非刻蝕狀態下的待刻蝕對象過早暴露于等離子體,減少了等離子體對待刻蝕對象造成的輻射損傷。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,尤其涉及一種刻蝕設備及刻蝕方法。
背景技術
刻蝕工藝作為一種可選擇性去除材料的工藝,被廣泛應用于諸如大規模集成電路等微細圖案的加工處理,例如電子器件的生產制造以及后續的檢測與失效分析等。
發明人發現,在對芯片進行失效分析前,往往需要先選取多個芯片,利用帶電粒子轟擊芯片表面,使其暴露內部結構,便于技術人員對其斷面和內部結構進行測試。若對多個芯片逐個刻蝕,需要進行多次抽真空、換氣等工藝,生產效率低下;而若將多個芯片同時放置于刻蝕腔中,由于多個芯片存在刻蝕時間長短的不同,短時間刻蝕的芯片由于長時間暴露在刻蝕腔室內會引起芯片損傷。
發明內容
本申請實施例提供一種刻蝕設備及刻蝕方法,旨在提高多個待刻蝕對象的刻蝕效率。
本申請第一方面的實施例提供了一種刻蝕設備,用于對多個待刻蝕對象進行并行刻蝕,刻蝕設備包括:刻蝕腔室,包括用于對待刻蝕對象進行刻蝕的刻蝕空間,刻蝕空間用于容納多個待刻蝕對象;移動部件,可移動地設置于刻蝕腔室;控制模塊,用于根據待刻蝕對象的所需刻蝕時間控制移動部件移動,以使多個待刻蝕對象依次暴露于刻蝕空間內。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,控制模塊被配置為根據待刻蝕對象的工藝信息和/或用戶指令,控制移動部件移動,以改變至少一個待刻蝕對象的暴露狀態;暴露狀態包括:待刻蝕對象暴露于刻蝕空間內的第一狀態,以及待刻蝕對象隔離于刻蝕空間的第二狀態。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,控制模塊用于按照所需刻蝕時間由長至短或由短至長的順序控制移動部件移動,以使待刻蝕對象按照所需刻蝕時間由長至短或由短至長的順序依次改變暴露狀態。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,控制模塊用于獨立的控制各移動部件移動,以使待刻蝕對象獨立的進行刻蝕。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,刻蝕設備還包括:承載部件,設置于刻蝕腔室,具有用于承載待刻蝕對象的承載面;刻蝕能量源,沿垂直于承載面的第一方向,刻蝕能量源與承載面之間具有間隔。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,刻蝕能量源包括激光光源、高能粒子源、電極中的至少一者。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,承載面包括多個第一承載區域,各第一承載區域分別用于承載各待刻蝕對象;移動部件與承載部件連接,以帶動承載部件移動,控制模塊被配置為控制移動部件驅使承載部件移動,以使各第一承載區域依次暴露于刻蝕空間。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,承載面包括多個第一承載區域,各第一承載區域分別用于承載各待刻蝕對象;移動部件包括可移動地設置于刻蝕空間的遮擋部件,控制模塊被配置為控制遮擋部件移動至第一承載區域和刻蝕能量源之間,以使遮擋部件能夠遮擋預設數量的第一承載區域內的待刻蝕對象。
根據本申請第一方面前述任一實施方式,多個第一承載區域沿與第一方向相交的第二方向依次排列;遮擋部件為多個,控制模塊被配置為控制多個遮擋部件拼接形成遮擋狀態、非遮擋狀態和介于遮擋狀態和非遮擋狀態之間的部分遮擋狀態,遮擋狀態在承載面上的正投影面積大于部分遮擋狀態在承載面上的正投影面積。
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