[發明專利]關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法

在審

• 申請號: 202111471986.7
• 申請日: 2021-12-06
• 公開（公告）號: CN114267603A
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 劉青青;米琳;寧威
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

本發明公開了一種關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其包括以下步驟：步驟一，首先對晶圓進行預掃描，確認重復矩陣圖案密集區的走向；步驟二，改變掃描方向，保持掃描方向與重復矩陣圖案走向平行，保證收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能夠產生并增強信號強化缺陷信號；步驟三，運用傅立葉濾光器并通過相干衍射的原理，減少背景噪擾，更大程度的弱化背景從而增強信號。本發明對于重復矩陣型圖案中小尺寸的缺陷具有較強的抓獲能力，可以提高缺陷的信噪比，在當站檢測出該種類型的缺陷進行工藝優化，降低低良風險。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法。

背景技術

在集成電路制造領域，隨著工藝尺寸的不斷縮小，產品種類越來越復雜，尤其是針對于線寬小，圖案(Pattern)比較密集(dense)的產品，對于YE(Yield Enhancement，良率改善)檢測機臺和菜單的要求越來越高，如何有效的提高YE檢測掃描菜單對于產品良率提升至關重要。

發明內容

針對上述情況，為了克服現有技術的缺陷，本發明提供一種關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法。

本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的：一種關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟一，首先對晶圓進行預掃描，確認重復矩陣圖案密集區的走向；

步驟二，改變掃描方向，保持掃描方向與重復矩陣圖案走向平行，保證收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能夠產生并增強信號、強化缺陷信號；

步驟三，運用傅立葉濾光器并通過相干衍射的原理，減少背景噪擾，更大程度的弱化背景從而增強信號。

優選地，所述晶圓包括多個芯片，多個芯片為多行多列的形式存在，呈陣列的形式布局在所述晶圓上。

優選地，所述步驟一利用暗場缺陷掃描機臺對晶圓進行預掃描。

優選地，所述暗場缺陷掃描機臺利用傅立葉濾光器針對晶圓表面相同裸片的重復單元進行濾波。

優選地，所述步驟二根據當層圖形走向，對晶圓進行轉角處理，從而改變掃描方向。

優選地，所述傅立葉變換將一個函數分解為其頻率成分的連續頻譜。

優選地，所述步驟一將晶圓的每一待檢測區域劃分為重復矩陣圖案密集區和重復矩陣圖案非密集區。

本發明的積極進步效果在于：本發明針對于不同重復矩陣型圖案走向的產品，采用晶圓(wafer)掃描方向來改變圖案走向，運用暗場機臺掃描收集散射光以及增加傅立葉進行相干衍射減少背景噪聲(Noise)的方法，對于重復矩陣型圖案中小尺寸的缺陷(defect)具有較強的抓獲能力，可以提高缺陷的信噪比，在當站檢測出該種類型的缺陷進行工藝優化，降低低良風險。

附圖說明

圖1為本發明關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。

如圖1所示，本發明關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法包括以下步驟：

步驟一，首先對晶圓進行預掃描，確認重復矩陣圖案(Pattern)比較密集(dense)區域的走向；其中，步驟一利用暗場缺陷掃描機臺對晶圓進行預掃描，暗場缺陷掃描機臺利用傅立葉濾光器針對晶圓表面相同裸片的重復單元進行濾波，提高檢測準確度。步驟一將晶圓的每一待檢測區域劃分為重復矩陣圖案密集區和重復矩陣圖案非密集區，方便區分和后續掃描。