[發明專利]關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法

在審

• 申請號: 202111471986.7
• 申請日: 2021-12-06
• 公開（公告）號: CN114267603A
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 劉青青;米琳;寧威
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟一，首先對晶圓進行預掃描，確認重復矩陣圖案密集區的走向；

步驟二，改變掃描方向，保持掃描方向與重復矩陣圖案走向平行，保證收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能夠產生并增強信號、強化缺陷信號；

步驟三，運用傅立葉濾光器并通過相干衍射的原理，減少背景噪擾，更大程度的弱化背景從而增強信號。

2.如權利要求1所述的關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，所述晶圓包括多個芯片，多個芯片為多行多列的形式存在，呈陣列的形式布局在所述晶圓上。

3.如權利要求1所述的關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，所述步驟一利用暗場缺陷掃描機臺對晶圓進行預掃描。

4.如權利要求3所述的關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，所述暗場缺陷掃描機臺利用傅立葉濾光器針對晶圓表面相同裸片的重復單元進行濾波。

5.如權利要求1所述的關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，所述步驟二根據當層圖形走向，對晶圓進行轉角處理，從而改變掃描方向。

6.如權利要求1所述的關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，所述傅立葉變換將一個函數分解為其頻率成分的連續頻譜。

7.如權利要求1所述的關于重復矩陣型圖案缺陷的檢測方法，其特征在于，所述步驟一將晶圓的每一待檢測區域劃分為重復矩陣圖案密集區和重復矩陣圖案非密集區。