[發明專利]PCB覆銅方法、PCB覆銅系統、電子設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202111471017.1
• 申請日: 2021-12-03
• 公開（公告）號: CN114372437A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 劉煦陽;劉湘龍;胡夢海;黃貴福
• 申請（專利權）人: 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司;廣州興森快捷電路科技有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F30/398;G06F115/12
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 洪銘福

1.PCB覆銅方法，其特征在于，所述PCB包括圖形區域和非圖形區域，所述PCB覆銅方法包括：

獲取所述圖形區域的第一殘銅率；

將所述第一殘銅率與預設范圍進行比較，根據比較結果和對應的預設覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，以使所述第一殘銅率與所述非圖形區域的第二殘銅率相等。

2.根據權利要求1所述的PCB覆銅方法，其特征在于，所述預設覆銅圖形至少包括第一覆銅圖形、第二覆銅圖形和第三覆銅圖形；

所述根據比較結果和對應的預設覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，包括：

確定所述第一殘銅率小于預設范圍，根據所述第一覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作；

確定所述第一殘銅率在所述預設范圍內，根據所述第二覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作；

確定所述第一殘銅率大于所述預設范圍，根據所述第三覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作。

3.根據權利要求2所述的PCB覆銅方法，其特征在于，所述第一覆銅圖形包括多個第一圖形，所述第一圖形為圓形；

在所述將所述第一殘銅率與預設范圍進行比較之前，所述PCB覆銅方法還包括：

獲取所述非圖形區域的初始長度和初始寬度；

所述根據所述第一覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，包括：

根據所述第一殘銅率、所述初始長度和所述初始寬度調節所述第一圖形的第一直徑，以及相鄰兩個所述第一圖形之間的第一間距；

根據調節后的所述第一覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作。

4.根據權利要求3所述的PCB覆銅方法，其特征在于，所述第二覆銅圖形包括多個第二圖形，所述第二圖形為矩形；

所述根據所述第二覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，包括：

根據所述第一殘銅率、所述初始長度和所述初始寬度調節所述第二圖形的邊長，以及相鄰兩個所述第二圖形之間的第二間距；

根據調節后的所述第二覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作。

5.根據權利要求4所述的PCB覆銅方法，其特征在于，所述第三覆銅圖形包括多個堆疊設置的中間圖形；所述中間圖形包括多個依次連接的第三圖形；所述第三圖形包括第一子矩形、第二子矩形和第三子矩形；其中，所述第一子矩形和所述第三子矩形分別垂直設置于所述第二子矩形的兩側，所述第一子矩形的延伸方向與所述第三子矩形的延伸方向相反；

所述根據所述第三覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，包括：

根據所述第一殘銅率、所述初始長度和所述初始寬度調節所述第三子矩形的子長度，以及所述第三子矩形的子寬度和相鄰兩個所述第三子矩形之間的第三間距；

根據調節后的所述第三覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作。

6.根據權利要求3所述的PCB覆銅方法，其特征在于，所述第一直徑和所述第一間距均大于3mil。

7.根據權利要求4所述的PCB覆銅方法，其特征在于，所述邊長和所述第二間距均大于3mil。

8.根據權利要求5所述的PCB覆銅方法，其特征在于，所述子長度、所述子寬度和所述第三間距均大于3mil。

9.PCB覆銅系統，其特征在于，所述PCB包括圖形區域和非圖形區域，所述PCB覆銅系統包括：

數據獲取模塊，用于獲取所述圖形區域的第一殘銅率；

覆銅模塊，用于將所述第一殘銅率與預設范圍進行比較，根據比較結果和對應的預設覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，以使所述第一殘銅率與所述非圖形區域的第二殘銅率相等。

10.電子設備，其特征在于，包括：

至少一個處理器；

至少一個存儲器，用于存儲至少一個程序；

當所述至少一個程序被所述至少一個處理器執行，使得所述至少一個處理器實現如權利要求1至8中任一項所述的PCB覆銅方法。

11.計算機可讀存儲介質，其中存儲有處理器可執行指令，其特征在于，所述處理器可執行的指令在由處理器執行時用于實現如權利要求1至8中任一項所述的PCB覆銅方法。