[發明專利]PCB覆銅方法、PCB覆銅系統、電子設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202111471017.1
• 申請日: 2021-12-03
• 公開（公告）號: CN114372437A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 劉煦陽;劉湘龍;胡夢海;黃貴福
• 申請（專利權）人: 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司;廣州興森快捷電路科技有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F30/398;G06F115/12
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 洪銘福

本發明公開了一種PCB覆銅方法、PCB覆銅系統、電子設備及存儲介質。其中，所述PCB包括圖形區域和非圖形區域，所述PCB覆銅方法包括：獲取所述圖形區域的第一殘銅率；將所述第一殘銅率與預設范圍進行比較，根據比較結果和對應的預設覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，以使所述第一殘銅率與所述非圖形區域的第二殘銅率相等。本申請實施例能夠保證非圖形區域的殘銅率與圖形區域的殘銅率相等，從而避免對后續操作的影響。

技術領域

本發明涉及PCB技術領域，尤其涉及一種PCB覆銅方法、PCB覆銅系統、電子設備及存儲介質。

背景技術

目前，為適應半導體產品性能不斷提升、產品面積不斷縮小、產品功耗越來越低的發展趨勢，PCB也逐漸朝著高密度方向發展。

相關技術中，高層次、高密度的PCB容易出現圖形區域與非圖形區域殘銅率不同的現象，使得PCB在壓合過程中各區域的流膠量不同，最終導致壓合后的PCB板厚極差大(極差＞0.2mm)。在對外層板制作圖形時，板厚較薄的區域與干膜無法緊密貼合，即干膜呈現浮起狀態，從而在顯影操作中，容易出現干膜脫落、污染缸體的現象，并對后續電鍍、蝕刻等操作造成影響。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明提出一種PCB覆銅方法、PCB覆銅系統、電子設備及存儲介質，能夠保證非圖形區域的殘銅率與圖形區域的殘銅率相等，從而避免對后續操作的影響。

根據本發明的第一方面實施例的PCB覆銅方法，所述PCB包括圖形區域和非圖形區域，所述PCB覆銅方法包括：獲取所述圖形區域的第一殘銅率；將所述第一殘銅率與預設范圍進行比較，根據比較結果和對應的預設覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，以使所述第一殘銅率與所述非圖形區域的第二殘銅率相等。

根據本發明實施例的PCB覆銅方法，至少具有如下有益效果：通過設置預設范圍，以對具備不同第一殘銅率的PCB進行區別，從而根據不同的第一殘銅率，對對應PCB的非圖形區域鋪設不同圖形的銅，使得非圖形區域的第二殘銅率等于圖形區域的第一殘銅率，從而保證PCB整板板厚的均勻性，避免了干膜脫落等現象。

根據本發明的一些實施例，所述預設覆銅圖形至少包括第一覆銅圖形、第二覆銅圖形和第三覆銅圖形；所述根據比較結果和對應的預設覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，包括：確定所述第一殘銅率小于預設范圍，根據所述第一覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作；確定所述第一殘銅率在所述預設范圍內，根據所述第二覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作；確定所述第一殘銅率大于所述預設范圍，根據所述第三覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作。

根據本發明的一些實施例，所述第一覆銅圖形包括多個第一圖形，所述第一圖形為圓形；在所述將所述第一殘銅率與預設范圍進行比較之前，所述PCB覆銅方法還包括：獲取所述非圖形區域的初始長度和初始寬度；所述根據所述第一覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，包括：根據所述第一殘銅率、所述初始長度和所述初始寬度調節所述第一圖形的第一直徑，以及相鄰兩個所述第一圖形之間的第一間距；根據調節后的所述第一覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作。

根據本發明的一些實施例，所述第二覆銅圖形包括多個第二圖形，所述第二圖形為矩形；所述根據所述第二覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作，包括：根據所述第一殘銅率、所述初始長度和所述初始寬度調節所述第二圖形的邊長，以及相鄰兩個所述第二圖形之間的第二間距；根據調節后的所述第二覆銅圖形對所述非圖形區域進行覆銅操作。