[發(fā)明專利]一種側(cè)磨裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111468025.0
• 申請(qǐng)日: 2021-12-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114147569A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 向昌明;趙銳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): B24B9/10
• 分類號(hào): B24B9/10;B24B55/03;B24B41/06
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N側(cè)磨裝置，用于對(duì)基板側(cè)面進(jìn)行磨邊，包括承載臺(tái)和設(shè)置于承載臺(tái)內(nèi)的第一冷卻組件，承載臺(tái)包括用于承載基板的承載面，第一冷卻組件包括進(jìn)口構(gòu)件和與進(jìn)口構(gòu)件連接的出口構(gòu)件，其中，出口構(gòu)件延伸至承載臺(tái)外圍，出口構(gòu)件包括延伸至承載臺(tái)外圍的第一出液口，第一出液口朝向承載臺(tái)的承載面一側(cè)設(shè)置；本申請(qǐng)通過(guò)在承載臺(tái)內(nèi)設(shè)置第一冷卻組件，既可以克服常規(guī)側(cè)磨裝置中冷卻水管在基板以下位置所存在的空間干涉問(wèn)題，還可以避免或有效減少因冷卻水難以到達(dá)基板的下表面所引起的基板上表面與下表面散熱效果相差較大，進(jìn)而導(dǎo)致基板崩邊較大、銀漿轉(zhuǎn)印出現(xiàn)斷線的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示屏制造的領(lǐng)域，具體涉及一種側(cè)磨裝置。

背景技術(shù)

大屏幕顯示拼接技術(shù)主要采用多個(gè)箱體拼接而成，這種拼接技術(shù)存在拼接縫隙的問(wèn)題。隨著顯示拼接技術(shù)的不斷發(fā)展，“無(wú)縫拼接”技術(shù)成為主流方向，其主要手段是將綁定及扇出線路做到基板背面以減小顯示區(qū)外圍的線路寬度，其中，將線路引至基板背板的關(guān)鍵核心制程為“銀漿轉(zhuǎn)印”。

在“銀漿轉(zhuǎn)印”之前，需將基板側(cè)面進(jìn)行磨邊倒邊，而側(cè)磨倒邊效果的一個(gè)重要影響因素是冷卻液的散熱，冷卻液散熱效果不好，會(huì)加大基板崩邊。現(xiàn)階段的磨邊過(guò)程因冷卻水管干涉，導(dǎo)致冷卻水管位置不能低于基板表面，而由于磨頭的阻擋，冷卻水管噴出的冷卻水很難到達(dá)基板的下表面。因此，基板下表面與上表面的散熱效果相差較大，導(dǎo)致基板崩邊較大，銀漿轉(zhuǎn)印在基板崩邊處容易出現(xiàn)斷線的現(xiàn)象，導(dǎo)致線路短路/斷路的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N側(cè)磨裝置，以緩解當(dāng)前基板進(jìn)行側(cè)磨倒邊時(shí)上下表面的散熱效果相差較大，導(dǎo)致基板崩邊較大進(jìn)而引起銀漿轉(zhuǎn)印出現(xiàn)斷線的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N側(cè)磨裝置，用于對(duì)基板側(cè)面進(jìn)行磨邊，包括：

承載臺(tái)，包括用于承載基板的承載面；

第一冷卻組件，設(shè)置于所述承載臺(tái)內(nèi)，所述第一冷卻組件包括進(jìn)口構(gòu)件和與所述進(jìn)口構(gòu)件連接的出口構(gòu)件；

其中，所述出口構(gòu)件延伸至所述承載臺(tái)外圍，所述出口構(gòu)件包括延伸至所述承載臺(tái)外圍的第一出液口，所述第一出液口朝向所述承載臺(tái)的承載面一側(cè)設(shè)置。

在本申請(qǐng)的側(cè)磨裝置中，所述出口構(gòu)件包括延伸至所述承載臺(tái)外圍的至少一第一出液段，所述第一出液口位于所述第一出液段的端部；

其中，所述第一出液段與所述承載臺(tái)的承載面呈夾角設(shè)置。

在本申請(qǐng)的側(cè)磨裝置中，所述側(cè)磨裝置還包括設(shè)置于所述承載臺(tái)一側(cè)的磨頭，所述磨頭包括與所述承載臺(tái)的側(cè)面相對(duì)設(shè)置的凹槽；

其中，所述承載臺(tái)與所述磨頭間隔設(shè)置，至少一所述第一出液段的第一出液口朝向所述承載臺(tái)與所述磨頭的間隔設(shè)置。

在本申請(qǐng)的側(cè)磨裝置中，所述第一出液段與所述承載臺(tái)的承載面的夾角為第一間隔與第二間隔的比值的反正切函數(shù)；

其中，所述第一間隔為所述第一出液口至所述承載臺(tái)的承載面的間隔，所述第二間隔為所述磨頭至所述承載臺(tái)的側(cè)面的間隔。

在本申請(qǐng)的側(cè)磨裝置中，所述承載臺(tái)包括第一承載部和設(shè)置于所述第一承載部上的第二承載部，所述承載面位于所述第二承載部遠(yuǎn)離所述第一承載部的一側(cè)；

其中，所述第二承載部在所述第一承載部上的正投影位于所述第一承載部?jī)?nèi)，以及，所述第一出液段設(shè)置于所述第一承載部上。

在本申請(qǐng)的側(cè)磨裝置中，所述磨頭設(shè)置于所述第二承載部的一側(cè)，以及，所述磨頭在所述第一承載部上的正投影位于所述第一承載部?jī)?nèi)；

其中，至少一所述第一出液段在所述第一承載部上的正投影與所述磨頭在所述第一承載部上的正投影至少部分重合。