[發(fā)明專利]一種改善深V盲孔加工的方法、印制電路板及應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111463563.0
• 申請日: 2021-12-02
• 公開（公告）號: CN114449761A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳益平;宋道遠(yuǎn);徐正;吳克威
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳崇達(dá)多層線路板有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 廣東普潤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44804
• 代理人: 彭海民

本發(fā)明屬于PCB加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種改善深V盲孔加工的方法、印制電路板及應(yīng)用。通過LDD棕化后進(jìn)行機(jī)械控深鉆孔，再采用激光鉆孔去除層間介厚，使最后一層層面無樹脂殘留。步驟一，確定控深鉆孔徑；步驟二，鉆孔使用壓合靶位孔定位；步驟三，選擇鉆孔控深機(jī)；步驟四，控深深度介厚設(shè)定；步驟五，控深鉆孔后采用激光鉆孔方式將殘留介質(zhì)層清除。本發(fā)明通過LDD棕化后走機(jī)械控深鉆，控深鉆深度控制要求保證鉆穿L2層不鉆穿L4層，在用激光鉆孔將殘留介質(zhì)層去除干凈保證L4銅面無樹脂殘留，電鍍后正常導(dǎo)通從而保證了產(chǎn)品質(zhì)量，提高了客戶滿意度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于PCB加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改善深V盲孔加工的方法、印制電路板及應(yīng)用。

背景技術(shù)

目前，印制電路板部分產(chǎn)品要求分層導(dǎo)通，例如：L1-L2、L1-L3、L1-L4制作盲孔導(dǎo)通，目前采用LDD減銅后進(jìn)行激光鉆孔加工，產(chǎn)品因?qū)訑?shù)較多壓合采用熔鉚合作業(yè)，產(chǎn)品壓合后存在層偏，導(dǎo)致激光鉆孔作業(yè)時多個層次對位異常，導(dǎo)致孔壁介質(zhì)層未去除干凈電鍍后出現(xiàn)ICD異常。

通過上述分析，現(xiàn)有技術(shù)存在的問題及缺陷為：深V孔采用激光鉆孔直接加工，易出現(xiàn)諸多不良，具體體現(xiàn)在：因壓合后層偏，激光鉆孔采用單層內(nèi)層對位無法保證每個層次對位準(zhǔn)確，深層次激光孔出現(xiàn)對位偏移導(dǎo)致內(nèi)層孔壁殘存介質(zhì)層導(dǎo)致電鍍后出現(xiàn)ICD分離對產(chǎn)品導(dǎo)通性能產(chǎn)生影響。

解決以上問題及缺陷的難度為：通過采用深V鉆孔方式可以有效解決多層次直通深v盲孔對位精度，避免出現(xiàn)偏位及孔壁分離異常；

解決以上問題及缺陷的意義為：可有效解決深v盲孔對位精度異常及內(nèi)層孔壁分離；本發(fā)明解決深V孔激光鉆孔偏位問題，保證電鍍后各層導(dǎo)通正常，保證產(chǎn)品品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明公開實施例提供了一種改善深V盲孔加工的方法、印制電路板及應(yīng)用。

所述技術(shù)方案如下：一種改善深V盲孔加工的方法，包括：

通過LDD棕化后進(jìn)行機(jī)械控深鉆孔，再采用激光鉆孔去除層間介厚，使最后一層層面無樹脂殘留。

在一實施例中，所述改善深V盲孔加工的方法具體包括以下步驟：

步驟一，確定控深鉆孔徑；

步驟二，鉆孔使用壓合靶位孔定位；

步驟三，選擇鉆孔控深機(jī)；

步驟四，控深深度介厚設(shè)定；

步驟五，控深鉆孔后采用激光鉆孔方式將殘留介質(zhì)層清除。

在一實施例中，所述步驟一控深鉆孔徑為實際激光加工孔徑。

在一實施例中，所述步驟四控深深度依據(jù)實際介厚設(shè)定，鉆穿L2不鉆穿L4。

在一實施例中，所述步驟四控深深度的方法包括：

建立鉆孔坐標(biāo)系，根據(jù)聲鉆孔的深度設(shè)計參數(shù)，確定激光發(fā)射陣、接收陣各陣元在鉆孔坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；

根據(jù)激光接收陣各陣元在鉆孔坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，以及接收陣各陣元信號接收時刻鉆孔坐標(biāo)系與成像坐標(biāo)系之間的平移矩陣和旋轉(zhuǎn)矩陣，確定接收陣各陣元接收信號時刻在鉆孔孔深成像坐標(biāo)系中的坐標(biāo)。

在一實施例中，所述建立鉆孔坐標(biāo)系，根據(jù)鉆孔的孔深設(shè)計參數(shù)，確定激光發(fā)射陣、接收陣各陣元在鉆孔孔深坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，分別用和表示，其中上標(biāo)Tr和Rr分別表示發(fā)射陣和接收陣，下標(biāo)S表示鉆孔坐標(biāo)系，下標(biāo)i表示接收陣陣元序號，i＝1，2，…，M，M表示合成孔徑聲納接收陣包含的接收陣元數(shù)量。

在一實施例中，確定激光發(fā)射陣、接收陣各陣元在鉆孔坐標(biāo)系中的坐標(biāo)中，還包括：