[發(fā)明專利]一種In2 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111459945.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-12-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114105188A | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 隋美蓉;田旭;高昌盛;時(shí)梅林;王永 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 徐州醫(yī)科大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C01G15/00 | 分類號(hào)： | C01G15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 徐州先卓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32555 | 代理人： | 陳俊杰 |
| 地址： | 221000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 in base sub | ||
本發(fā)明公開了一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，將硫源溶于去離子水，攪拌制成溶液，然后再加入鋅鹽和銦鹽攪拌，配制成混合溶液；在聚四氟乙烯釜中放入襯底，然后將混合溶液轉(zhuǎn)移到放有襯底的聚四氟乙烯釜中，再放入烘箱，升溫至180~210℃，保溫0.5~4小時(shí)，反應(yīng)完畢后反應(yīng)釜自然冷卻至室溫；取出襯底，用乙醇和去離子水反復(fù)沖洗后，放入烘箱中烘干，則得到In2S3納米薄片陣列材料。本發(fā)明通過水熱法以及用水作溶劑，方法簡單、環(huán)保，且易于操作；不需要使用惰性氣氛保護(hù)，條件簡單；得到的納米材料有著較大的比表面積、可見光響應(yīng)和光電化學(xué)性能，且形貌均一。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種陣列結(jié)構(gòu)材料的制備方法，具體涉及一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法。
背景技術(shù)
氫能被認(rèn)為是21世紀(jì)最具發(fā)展?jié)摿Φ木G色能源之一，通過人工模擬光合作用，利用太陽光催化分解水來實(shí)現(xiàn)高效率制氫，而實(shí)現(xiàn)人工光合作用最直接的方式之一就是構(gòu)建有效的光電化學(xué)（PEC）水分解系統(tǒng)。光電化學(xué)（PEC）水裂解因其可再生、清潔環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)，近年來引起了極大的興趣。為了高效的利用和轉(zhuǎn)化太陽能，需設(shè)計(jì)和制備一種合適的半導(dǎo)體光電電極。
In2S3是典型的III-VI族硫化物半導(dǎo)體材料，禁帶寬度約為2.00eV。由于其穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)、較窄的禁帶寬度和較好的可見光吸收特性，它在光催化、光導(dǎo)、光電等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景，是一種具有很好應(yīng)用潛力的光電材料。迄今為止，已通過不同的方法成功地合成了具有各種二維形貌的In2S3，如納米粒子、納米片、納米棒、納米片和由納米片組成的微球。硫化銦獨(dú)特的物化性質(zhì)不僅與其物相相關(guān)，而且很大程度上依賴于它的形貌及組織結(jié)構(gòu)。對(duì)In2S3的形貌調(diào)控以同時(shí)增強(qiáng)其比表面積、電荷遷移率已經(jīng)成為了研究熱點(diǎn)。由于有序的納米陣列結(jié)構(gòu)具有大的比表面積、較好的穩(wěn)定性、光散射促進(jìn)光吸收性質(zhì)以及直接的電子傳輸路徑，納米陣列結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)合成已引起了廣泛的關(guān)注。
到目前為止，使用常規(guī)水熱法制備In2S3納米陣列較為困難，并且在光照下容易受到光腐蝕而從基底上脫落。已報(bào)導(dǎo)的文章中，涉及到In2S3納米陣列的制備大多使用溶劑熱法。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，使In2S3材料能有效的被可見光激發(fā)，并且具有良好的穩(wěn)定性等，避免了大量的有機(jī)溶劑使用而污染環(huán)境。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，包括以下步驟：
a．將硫源溶于去離子水，攪拌制成溶液，然后再加入鋅鹽和銦鹽勻速攪拌20~30min，配制成混合溶液，硫源和銦鹽兩者間的質(zhì)量比為1.5:1~2:1，優(yōu)選為1.9:1；
b．在聚四氟乙烯釜中放入透明導(dǎo)電玻璃、銅箔或者不銹鋼作為襯底，然后將步驟a中混合溶液轉(zhuǎn)移到放有襯底的聚四氟乙烯釜中，再放入烘箱，升溫至180~210℃，保溫0.5~4小時(shí)，反應(yīng)完畢后反應(yīng)釜自然冷卻至室溫；
c．取出襯底，用乙醇和去離子水反復(fù)沖洗后，放入60~80℃的烘箱中烘干，則得到In2S3納米薄片陣列材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于徐州醫(yī)科大學(xué)，未經(jīng)徐州醫(yī)科大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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