[發明專利]一種In2 在審
| 申請號： | 202111459945.6 | 申請日： | 2021-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN114105188A | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 隋美蓉;田旭;高昌盛;時梅林;王永 | 申請（專利權）人： | 徐州醫科大學 |
| 主分類號： | C01G15/00 | 分類號： | C01G15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 徐州先卓知識產權代理事務所(普通合伙) 32555 | 代理人： | 陳俊杰 |
| 地址： | 221000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 in base sub | ||
1.一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a．將硫源溶于去離子水，攪拌制成溶液，然后再加入鋅鹽和銦鹽勻速攪拌20~30min，配制成混合溶液，硫源和銦鹽兩者間的質量比為1.5:1~2:1；
b．在聚四氟乙烯釜中放入透明導電玻璃、銅箔或者不銹鋼作為襯底，然后將步驟a中混合溶液轉移到放有襯底的聚四氟乙烯釜中，再放入烘箱，升溫至180~210℃，保溫0.5~4小時，反應完畢后反應釜自然冷卻至室溫；
c．取出襯底，用乙醇和去離子水反復沖洗后，放入60~80℃的烘箱中烘干，則得到In2S3納米薄片陣列材料。
2.根據權利要求1所述的一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，其特征在于：所述步驟a中鋅鹽與銦鹽的摩爾數之比為3.4:100 ~ 10.2:100；鋅鹽與硫源的摩爾比例為2:3。
3.根據權利要求1所述的一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，其特征在于：所述步驟a中硫源為硫脲或硫代乙酰胺；鋅鹽為氯化鋅、硫酸鋅或硝酸鋅；銦鹽為硝酸銦、氯化銦或硫酸銦。
4.根據權利要求1所述的一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，其特征在于：所述步驟c中In2S3納米薄片陣列材料厚度為100 nm，膜層厚度為4.5μm。
5.根據權利要求1所述的一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，其特征在于：所述步驟b中水熱溫度為190℃。
6.根據權利要求1所述的一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，其特征在于：所述步驟b中水熱時間為3小時。
7.根據權利要求1所述的一種In2S3納米薄片陣列材料的制備方法，其特征在于：所述步驟a中加入的硫源、銦鹽和鋅鹽的比例為1.5~2: 1: 0.034~0.134。
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