[發明專利]一種局部鍍膜散熱片加工方法在審
| 申請號： | 202111451934.3 | 申請日： | 2021-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN114134474A | 公開（公告）日： | 2022-03-04 |
| 發明（設計）人： | 張于光;郭明哲;胡瑋;吳玉紅 | 申請（專利權）人： | 聯德電子科技（常熟）有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京化育知識產權代理有限公司 11833 | 代理人： | 閆露露 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 局部 鍍膜 散熱片 加工 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種局部鍍膜散熱片加工方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟(1).將需要鍍膜的金屬產品放置在氣密箱內，抽真空，通氬氣；
步驟(2).通過電子在電場作用下跟氬原子發生碰撞產生的正離子和新電子，氬正離子以高能量抨擊靶表面，將指定的金屬鍍材并從其表面分離出金屬鍍材的原子或分子，抨擊散射出的靶沉積在散熱片表面形成的薄膜；
步驟(3).在金屬鍍膜空間外側設有位置控制磁場，控制鍍膜方向和位置。
2.根據權利要求1所述的一種局部鍍膜散熱片加工方法，其特征在于：所述需要鍍膜的金屬產品材質為銅、鐵、鋁、鎂、不銹鋼及其合金中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種局部鍍膜散熱片加工方法，其特征在于：所述金屬鍍材為銅、鋅、錫、鎳、銀、金中的一種。
4.根據權利要求1所述的一種局部鍍膜散熱片加工方法，其特征在于：所述分離方式為蒸發鍍、離子鍍、磁控濺射中的一種。
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