[發(fā)明專利]KrF光源厚膜光刻膠組合物的使用方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111448787.4
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN116203796A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方書農(nóng);王溯;耿志月
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司;上海芯刻微材料技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 陳卓

本發(fā)明公開了一種KrF光源厚膜光刻膠組合物的使用方法。具體地，本發(fā)明公開了一種以如式Ⅰ所示的化合物作為光產(chǎn)酸劑的KrF光源厚膜光刻膠組合物的使用方法，主要包含涂覆、預(yù)烘烤、掩模板圖案復(fù)制、再烘烤和顯影等步驟。經(jīng)本公開的KrF厚膜光刻膠組合物的使用方法，得到的膠膜矩形性佳。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種KrF光源厚膜光刻膠組合物的使用方法。

背景技術(shù)

目前在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，LCD(液晶顯示)/BUMP凸塊/MEMS微機電/3D-NAND存儲器等芯片制造過程中，會用到KrF光源厚膜光刻膠，此類光刻膠既不同于常規(guī)的KrF的薄層光刻膠，也不同于ArF光源的光刻膠，而是具有自己獨特的性能。

目前雖然集成電路半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)在飛速發(fā)展，但配套的此類KrF光源的厚膜光刻膠的技術(shù)卻并沒有完全成熟，是目前KrF類光刻膠研究的熱點領(lǐng)域。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種KrF光源厚膜光刻膠組合物的使用方法，使用該方法得到的膠膜矩形性佳。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的。

本發(fā)明提供了一種KrF厚膜光刻膠組合物的使用方法，其包括以下步驟：

步驟1：將KrF厚膜光刻膠組合物涂覆在基材表面以形成光刻膠層；

步驟2：將所述的光刻膠層進行預(yù)烘烤；

步驟3：通過曝光將掩模版上的圖案復(fù)制到預(yù)烘烤后的光刻膠層上；

步驟4：將曝光后的光刻膠層進行烘烤；

步驟5：向烘烤后的光刻膠層施加顯影劑進行顯影，即可得光刻圖案；

所述的KrF厚膜光刻膠組合物包括如式Ⅰ所示的光產(chǎn)酸劑；

式Ⅰ中，n為0、1、2或3；

R₁為-COOR^1-1或C_1-4烷基；R^1-1為C_1-4烷基；

R₂為C_1-4烷基。

步驟1中，所述基材優(yōu)選為硅晶圓。

步驟1中，所述涂覆的方式優(yōu)選為旋涂。

步驟1中，所述光刻膠層的厚度優(yōu)選為8.5～11.5μm，進一步優(yōu)選為10μm。

步驟2中，所述預(yù)烘烤的溫度優(yōu)選為95～125℃，進一步優(yōu)選為110℃。

步驟3中，所述曝光的波長優(yōu)選為248nm。

步驟4中，所述烘烤的溫度為優(yōu)選為110～130℃，進一步優(yōu)選為120℃。

步驟5中，所述顯影劑優(yōu)選為四甲基氫氧化銨水溶液，例如質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2.38％的四甲基氫氧化銨水溶液。

步驟5中，所述顯影的溫度優(yōu)選為20～25℃，進一步優(yōu)選為23℃。

步驟5中，所述顯影的時間優(yōu)選為0.5～2min，進一步優(yōu)選為1min。

在一優(yōu)選方案中，n為0、1或2。

在一優(yōu)選方案中，R₁為-COOR^1-1，其中R^1-1為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基，優(yōu)選乙基。

在一優(yōu)選方案中，R₁為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基，優(yōu)選甲基。