[發明專利]KrF光源厚膜光刻膠組合物的使用方法

在審

• 申請號: 202111448787.4
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN116203796A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 方書農;王溯;耿志月
• 申請（專利權）人: 上海新陽半導體材料股份有限公司;上海芯刻微材料技術有限責任公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 陳卓

1.一種KrF厚膜光刻膠組合物的使用方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟1：將KrF厚膜光刻膠組合物涂覆在基材表面以形成光刻膠層；

步驟2：將所述的光刻膠層進行預烘烤；

步驟3：通過曝光將掩模版上的圖案復制到預烘烤后的光刻膠層上；

步驟4：將曝光后的光刻膠層進行烘烤；

步驟5：向烘烤后的光刻膠層施加顯影劑進行顯影，即可得光刻圖案；

所述的光刻膠組合物包括如式Ⅰ所示的光產酸劑；

式Ⅰ中，n為0、1、2或3；

R₁為-COOR^1-1或C_1-4烷基；R^1-1為C_1-4烷基；

R₂為C_1-4烷基。

2.如權利要求1所述的KrF厚膜光刻膠組合物的使用方法，其特征在于，其滿足以下條件的一種或多種：

(1)步驟1中，所述基材為硅晶圓；

(2)步驟1中，所述涂覆的方式為旋涂；

(3)步驟1中，所述光刻膠層的厚度為8.5～11.5μm，優選為10μm；

(4)步驟2中，所述預烘烤的溫度為95～125℃，優選為110℃；

(5)步驟3中，所述曝光的波長為248nm；

(6)步驟4中，所述烘烤的溫度為110～130℃，優選為120℃；

(7)步驟5中，所述顯影劑為四甲基氫氧化銨水溶液，例如質量百分數為2.38％的四甲基氫氧化銨水溶液；

(8)步驟5中，所述顯影的溫度為20～25℃，優選為23℃；

(9)步驟5中，所述顯影的時間為0.5～2min，優選為1min；

(10)所述的光產酸劑中，n為0、1或2；

(11)所述的光產酸劑中，當R₁為-COOR^1-1時，所述的R^1-1為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基，優選乙基；

(12)所述的光產酸劑中，當R₁為C_1-4烷基時，R₁為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基，優選甲基；

(13)所述的光產酸劑中，R₂為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基，優選甲基。

3.如權利要求2所述的KrF厚膜光刻膠組合物的使用方法，其特征在于，所述的光產酸劑為以下化合物中的任一種：

4.如權利要求1所述的KrF厚膜光刻膠組合物的使用方法，其特征在于，所述的KrF厚膜光刻膠組合物包括下列組分：如權利要求1-3任一項所述的光產酸劑、光敏聚合物、三乙醇胺和溶劑；所述光敏聚合物為酚醛樹脂、聚羥基苯乙烯樹脂、丙烯酸類樹脂或其組合。

5.如權利要求4所述的KrF厚膜光刻膠組合物的使用方法，其特征在于，所述的KrF厚膜光刻膠組合物由所述的光產酸劑、所述光敏聚合物、三乙醇胺和溶劑組成。