[發(fā)明專(zhuān)利]鎳鐵基非晶合金薄膜及制備方法、應(yīng)用其的電磁屏蔽膜與設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111448411.3
• 申請(qǐng)日: 2021-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114134473A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳衛(wèi)紅;王杰營(yíng);孫海波;石小蘭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佛山市中研非晶科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/20;C22C45/04;H05K9/00
• 代理公司: 廣州科粵專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44001
• 代理人: 龐偉健;譚健洪

本發(fā)明公開(kāi)了一種鎳鐵基非晶合金薄膜，其成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V、N，其各元素的質(zhì)量百分比為：其中：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％。一種鎳鐵基非晶合金薄膜制備方法為磁控濺射工藝，通過(guò)該工藝制備所得的鎳鐵基非晶合金薄膜可制備有相應(yīng)的電磁屏蔽膜及設(shè)備；采用本發(fā)明所述的化學(xué)成分(質(zhì)量百分比)范圍和磁控濺射工藝所制備的鎳鐵基非晶合金薄膜，具有綜合磁性能優(yōu)異的有益技術(shù)效果，利用上述鎳鐵基非晶合金制備的電磁屏蔽膜及設(shè)備，滿足高性能要求的電子屏蔽材料的應(yīng)用需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁性材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鎳鐵基非晶合金薄膜及制備方法、應(yīng)用其的電磁屏蔽膜與設(shè)備。

背景技術(shù)

現(xiàn)在市場(chǎng)上的非晶軟磁材料主要包括鐵基、鈷基、鎳基等非晶合金以及納米晶合金。鎳鐵基非晶具有高磁導(dǎo)率，低矯頑力和低損耗特點(diǎn)，由此使其成為優(yōu)異的軟磁材料。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，尤其是信息技術(shù)的迅速發(fā)展，各行業(yè)對(duì)各種電子器件會(huì)提出越來(lái)越高的要求，微型化、高靈敏度、響應(yīng)快以及高穩(wěn)定性將是未來(lái)的趨勢(shì)，鎳鐵基非晶材料將會(huì)在工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)電子、信息技術(shù)和醫(yī)療儀器等諸多領(lǐng)域取得越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

鎳鐵基非晶合金的低損耗、低矯頑力、高磁導(dǎo)率以及高剩磁的特點(diǎn)使其廣泛應(yīng)用在電子設(shè)備領(lǐng)域。為了進(jìn)一步滿足電子設(shè)備領(lǐng)域?qū)︽囪F基非晶合金的要求，需要進(jìn)一步提高鎳鐵基非晶合金的磁性能。

目前非晶磁性薄膜的制備多采用化學(xué)鍍/電鍍沉積技術(shù)在高電導(dǎo)率的金屬箔上沉積非晶態(tài)Ni基合金的過(guò)程，化學(xué)鍍/電鍍沉積技術(shù)易造成環(huán)境污染且對(duì)合金成分的選擇有要求限制；而采用磁控濺射制備非晶磁性薄膜，合金薄膜成分的選擇比較寬廣且綠色環(huán)保。

電磁屏蔽是控制電磁干擾的有效手段，電磁屏蔽材料是電磁屏蔽的重要工具。傳統(tǒng)金屬及金屬基復(fù)合材料是最常用的電磁屏蔽材料。按金屬材料導(dǎo)電及導(dǎo)磁能力的強(qiáng)弱，分別將其用于屏蔽高頻或低頻電磁波。銅、鋁、銀等高電導(dǎo)率金屬材料通常用于屏蔽高頻電磁波。而靜電場(chǎng)及低頻磁場(chǎng)通常用高磁導(dǎo)率材料來(lái)屏蔽，如純鐵、硅鋼、坡莫合金。但是傳統(tǒng)金屬材料密度大，厚重，柔韌性差，所對(duì)應(yīng)的頻帶寬度較窄，屏蔽效能有限等問(wèn)題。

目前，電子產(chǎn)品及設(shè)備由于功能需求各異，高頻震蕩所產(chǎn)生的電磁波含有各種復(fù)雜高低頻頻段共存，傳統(tǒng)電磁屏蔽材料難以解決此類(lèi)復(fù)雜電磁兼容問(wèn)題，因此需要開(kāi)發(fā)一種新型性能更為優(yōu)秀的電磁屏蔽材料。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種鎳鐵基非晶合金薄膜及制備方法、應(yīng)用其的電磁屏蔽膜與設(shè)備。

一種鎳鐵基非晶合金薄膜，其成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的質(zhì)量百分比為：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％。

進(jìn)一步地，其成分還包括C、P、S元素中的任意一種或多種，其各元素的質(zhì)量百分比為：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％，0﹤X≤5wt％，X為C、P、S元素中的任意一種或多種。

進(jìn)一步地，其成分還包括B元素，所述B元素的質(zhì)量百分比為：0≤B≤5wt％。

一種制備上述鎳鐵基非晶合金薄膜的制備方法，包括以下步驟：

S1、將原料熔煉得到母合金，將所述母合金進(jìn)行精細(xì)加工，得到鎳鐵基合金靶材；原料的成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的質(zhì)量百分比為：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％；