[發明專利]鎳鐵基非晶合金薄膜及制備方法、應用其的電磁屏蔽膜與設備

在審

• 申請號: 202111448411.3
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114134473A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 陳衛紅;王杰營;孫海波;石小蘭
• 申請（專利權）人: 佛山市中研非晶科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/20;C22C45/04;H05K9/00
• 代理公司: 廣州科粵專利商標代理有限公司 44001
• 代理人: 龐偉健;譚健洪

1.一種鎳鐵基非晶合金薄膜，其特征在于，其成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的質量百分比為：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％。

2.根據權利要求1所述的鎳鐵基非晶合金薄膜，其特征在于，其成分還包括C、P、S元素中的任意一種或多種，其各元素的質量百分比為：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％，0﹤X≤5wt％，X為C、P、S元素中的任意一種或多種。

3.根據權利要求1-2任一所述的鎳鐵基非晶合金薄膜，其特征在于，其成分還包括B元素，所述B元素的質量百分比為：0≤B≤5wt％。

4.一種制備如權利要求1所述的鎳鐵基非晶合金薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將原料熔煉得到母合金，將所述母合金進行精細加工，得到鎳鐵基合金靶材；原料的成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的質量百分比為：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％；

S2、使基片的溫度小于80℃，并在所述鎳鐵基合金靶材的側面平行放置接地連接的基片，基片與所述鎳鐵基合金靶材之間保持距離L，L在2～10cm范圍內；采用磁控濺射法在基片上沉積得到非晶態的鎳鐵基非晶合金；

S3、將脈沖電源功率保持在2～10kw范圍內，在基片上進行時間T的金屬沉積，使基片上形成鎳鐵基非晶合金薄膜。

5.根據權利要求3所述的鎳鐵基非晶合金制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述鎳鐵基合金靶材的厚度為1～6mm。

6.根據權利要求3所述的鎳鐵基非晶合金薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟S2和步驟S3中，磁控濺射時，基片的沉積溫度小于120℃；磁控濺射采用的工作氣體為Ar，通入Ar后真空度為1×10^-1～5×10^-1Pa；磁控濺射的工作電流為在4～12A范圍內，鍍膜的線速度為0.5～5m/min，濺射時間T為5～120min。

7.根據權利要求5所述的鎳鐵基非晶合金薄膜制備方法，其特征在于，在所述步驟S2和所述步驟S3中，鍍膜時工作腔的工作溫度保持為25℃～100℃。

8.根據權利要求3所述的鎳鐵基非晶合金薄膜制備方法，其特征在于，所述鎳鐵基非晶合金薄膜的厚度為20～2000nm。

9.根據權利要求3所述的鎳鐵基非晶合金薄膜制備方法，其特征在于，在步驟S1中，將C、P、S元素中的任意一種或多種，制備成純元素或混合元素靶材，將所述鎳鐵基合金靶材與純元素或混合元素靶材的質量按照10：1的比例進行拼接形成組合靶材；在步驟S2中，使基片的溫度小于80℃，并在所述組合靶材的側面平行放置接地連接的基片，基片與所述組合靶材之間保持距離L，L在2～10cm范圍內，采用磁控濺射法在基片上沉積得到非晶態的鎳鐵基非晶合金。

10.根據權利要求8所述的鎳鐵基非晶合金薄膜制備方法，其特征在于，所述組合靶材的厚度為1～6mm。

11.根據權利要求8所述的鎳鐵基非晶合金薄膜制備方法，其特征在于，所述步驟S2和步驟S3中，磁控濺射時，基片的沉積溫度小于120℃；磁控濺射采用的工作氣體為Ar，通入Ar后真空度為1×10^-1～5×10^-1Pa；磁控濺射的工作電流為在4～12A范圍內，鍍膜的線速度為0.5～5m/min，濺射時間T為5～120min。