[發明專利]基材鍍膜工藝

在審

• 申請號: 202111440223.6
• 申請日: 2021-11-30
• 公開（公告）號: CN114086143A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 陳立;李俊杰;李新栓;薛闖;寇立
• 申請（專利權）人: 湘潭宏大真空技術股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/02
• 代理公司: 湖南喬熹知識產權代理事務所(普通合伙) 43262
• 代理人: 陳蓮瑛

本發明公開一種基材鍍膜工藝，基材鍍膜工藝包括鼓式基片架承載的孤型或者平面的載具，裝載基材，流入前處理室，抽至真空1*10e^?1pa至1*10e^?6pa；通入氬氣和氧氣，令基材在前處理室通過石墨基材過氧濺射處理1?30分鐘以提高膜層附著力，同時通過加熱裝置對基材進行烘烤處理，所述陰極為平面靶或旋轉靶；將前處理完畢后的基材流入光學鍍膜室進行鍍膜；鍍膜完畢的基材流入至出片室。本發明提供基材鍍膜工藝通過石墨陰極對基材進行前處理，相比于離子源清洗具備清潔度更高以及膜層附著能力更強的優點。

技術領域

本發明涉及真空鍍膜領域，尤其涉及一種基材鍍膜工藝。

背景技術

磁控濺射鍍膜，是在一定的高真空腔體中，通入Ar氣等工作氣體，通入O₂、N₂等反應氣體，在裝有靶材的磁控陰極表面，電離Ar氣，磁場控制更多的電子在靶材表面運動，從而撞擊電離更多的Ar氣，Ar氣離子在陰極電場控制下，撞擊靶材，將靶材粒子撞向基材架端，從而將材料沉積在玻璃，金屬，陶瓷，塑料等基材上。

然而，影響真空鍍膜效果的一個重要因素是鍍膜與基材之間的結合力，結合力較低的話易導致鍍膜從基材的表面脫落，實踐證明，基材表面的凈潔度在真空鍍膜過程中是影響鍍膜與基材結合力強弱的一個重要因素，所以在基材鍍膜之前，需要使用清洗設備對其進行清洗，使其表面保持潔凈。

但是，現有的基材在清洗時不能夠有效地去除基材表面的附著物，且無法提高基材的后續鍍膜的附著力，或者是現有處理方式易對基材上已有涂層，或基材本身造成損傷，或者能鍍出膜層或顆粒污染，在清洗基材的同時也污染基材，造成亮點等。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種基材鍍膜工藝，旨在解決上述技術問題。

為實現上述目的，本發明提出的一種基材鍍膜工藝，所述基材鍍膜工藝采用如上所述的三室鍍膜裝置，所述基材鍍膜工藝包括：

鼓式基片架承載的孤型或者平面的載具，裝載基材，流入前處理室，抽至真空1*10e^-1pa至1*10e^-6pa；

通入氬氣和氧氣，令基材在前處理室通過石墨基材過氧濺射1-30分鐘以提高膜層附著力，同時通過加熱裝置對基材進行烘烤處理，所述陰極為平面靶或旋轉靶；

將前處理完畢后的基材流入光學鍍膜室內對基材進行鍍膜；

鍍膜完畢的基材流入至出片室。

在一實施例中，所述氬氣的流量為20-1000SCCM。

在一實施例中，所述氧氣的流量為20-1000SCCM。

在一實施例中，所述烘烤溫度為40-600℃。

在一實施例中，對基材進行鍍膜的步驟包括：以中頻電源或直流脈沖電源1-30kw的功率濺射SI，Nb，TI，AL，Cr，In，C等膜層，并且以直流電源或直流脈沖電源1-30kw的功率濺射Nb，TI，AL，Cr，In，C，Zr等膜層。

本發明的技術方案中，基材鍍膜工藝包括：鼓式基片架承載的孤型或者平面的載具，裝載基材，流入前處理室，抽至真空1*10e^-1pa至1*10e^-6pa；

通入氬氣和氧氣，令基材在前處理室通過石墨基材過氧濺射1-30分鐘以提高膜層附著力，同時通過加熱裝置對基材進行烘烤處理，所述陰極為平面靶或旋轉靶；將前處理完畢后的基材流入光學鍍膜室內對基材進行鍍膜；鍍膜完畢的基材流入至出片室。因此在本技術方案中，通過石墨陰極對基材進行前處理，相比于離子源清洗具備清潔度更高以及膜層附著能力更強的優點。

附圖說明