[發(fā)明專利]基材鍍膜工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111440223.6 | 申請日： | 2021-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN114086143A | 公開（公告）日： | 2022-02-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳立;李俊杰;李新栓;薛闖;寇立 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘潭宏大真空技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/02 |
| 代理公司： | 湖南喬熹知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43262 | 代理人： | 陳蓮瑛 |
| 地址： | 411100 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基材 鍍膜 工藝 | ||
1.一種基材鍍膜工藝，其特征在于，所述基材鍍膜工藝包括：
鼓式基片架承載的孤型或者平面的載具，裝載基材，流入前處理室，抽至真空1*10e-1pa至1*10e-6pa；
通入氬氣和氧氣，令基材在前處理室通過石墨基材過氧濺射1-30分鐘以提高膜層附著力，同時通過加熱裝置對基材進(jìn)行烘烤處理，所述陰極為平面靶或旋轉(zhuǎn)靶；
將前處理完畢后的基材流入光學(xué)鍍膜室內(nèi)對基材進(jìn)行鍍膜；
鍍膜完畢的基材流入至出片室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材鍍膜工藝，其特征在于，所述氬氣的流量為20-1000SCCM。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材鍍膜工藝，其特征在于，所述氧氣的流量為20-1000SCCM。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材鍍膜工藝，其特征在于，所述烘烤溫度為40-600℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材鍍膜工藝，其特征在于，對基材進(jìn)行鍍膜的步驟包括：以中頻電源或直流脈沖電源1-30kw的功率濺射SI，Nb，TI，AL，Cr，In，C等膜層，并且以直流電源或直流脈沖電源1-30kw的功率濺射Nb，TI，AL，Cr，In，C，Zr等膜層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
