[發明專利]用于存儲操作數據的存儲器單元

在審

• 申請號: 202111430770.6
• 申請日: 2021-11-29
• 公開（公告）號: CN114582393A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: M·博尼亞蒂;A·M·孔蒂;I·托爾托雷利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

本申請涉及用于存儲操作數據的存儲器單元。存儲器裝置可包含具有用于存儲數據的不同單元集的存儲器單元陣列。第一存儲器單元集可存儲用于操作所述存儲器裝置的數據，且相關聯存儲器單元可各自含有硫屬化物存儲元件。第二存儲器單元集可存儲主機數據。包含在所述第一集中的一些存儲器單元可編程以存儲第一邏輯狀態，且所述第一集中的其它存儲器單元可保持未編程(且可表示第二邏輯狀態)。感測電路可與所述陣列耦合，且可確定由所述第一存儲器單元集存儲的數據的值。

交叉引用

本專利申請案要求伯尼拉迪(Boniardi)等人的在2020年12月1日提交的名稱為“用于存儲操作數據的存儲器單元(MEMORY CELLS FOR STORING OPERATIONAL DATA)”的美國專利申請案第17/108,783號的優先權，所述專利申請案讓與給本受讓人且明確地以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

本技術領域涉及用于存儲操作數據的存儲器單元。

背景技術

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲在例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等的各種電子裝置中。通過將存儲器裝置內的存儲器單元編程到各種狀態來存儲信息。舉例來說，二進制存儲器單元可編程到兩個支持狀態中的一個，通常由邏輯1或邏輯0來標示。在一些實例中，單個存儲器單元可支持多于兩個狀態，可存儲所述狀態中的任一個。為了存取所存儲信息，組件可以讀取或感測存儲器裝置中的至少一個所存儲狀態。為了存儲信息，組件可在存儲器裝置中寫入狀態或對狀態進行編程。

存在各種類型的存儲器裝置和存儲器單元，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)、自選存儲器、硫屬化物存儲器技術等。存儲器單元可為易失性的或非易失性的。

發明內容

描述一種設備。在一些實例中，設備可包含：第一存儲器單元集，其各自包括硫屬化物元件且配置成用于存儲與操作第二存儲器單元集相關聯的數據，其中第一存儲器單元集中的第一存儲器單元包括寫入到第一邏輯狀態的已編程存儲器單元，且其中第一存儲器單元集中的第二存儲器單元包括存儲第二邏輯狀態的未編程存儲器單元；用于存儲主機數據的第二存儲器單元集；感測電路，其與第一存儲器單元集耦合且配置成識別由第一存儲器單元和第二存儲器單元存儲的相應邏輯狀態；以及控制器，其與第一存儲器單元集、第二存儲器單元集和感測電路耦合，且配置成至少部分地基于由第一存儲器單元和第二存儲器單元存儲的相應邏輯狀態而存取第二存儲器單元集。

描述一種方法。在一些實例中，方法可包含：施加編程脈沖以將存儲器裝置的第一存儲器單元集中的第一存儲器單元編程到第一邏輯狀態，其中存儲器裝置包括用于存儲主機數據的第二存儲器單元集和用于存儲與操作存儲器裝置相關聯的數據的第一存儲器單元集；至少部分地基于施加編程脈沖以將第一存儲器單元編程到第一邏輯狀態而識別第一存儲器單元集中的第二存儲器單元存儲與未編程存儲器單元相關聯的第二邏輯狀態；以及至少部分地基于識別第二存儲器單元存儲第二邏輯狀態而操作第二存儲器單元集以存儲主機數據。

描述一種設備。在一些實例中，設備可包含：第一存儲器單元集，其各自包括硫屬化物元件且配置成用于存儲與操作第二存儲器單元集相關聯的數據；第二存儲器單元集；以及控制器，其與第一存儲器單元集、第二存儲器單元集耦合，其中控制器配置成：施加編程脈沖以將第一存儲器單元集中的第一存儲器單元編程到第一邏輯狀態；至少部分地基于施加編程脈沖以將第一存儲器單元編程到第一邏輯狀態而識別第一存儲器單元集中的第二存儲器單元存儲與未編程存儲器單元相關聯的第二邏輯狀態；以及至少部分地基于識別第二存儲器單元存儲第二邏輯狀態而操作第二存儲器單元集以存儲主機數據。

附圖說明

圖1說明根據如本文中所公開的實例的支持用于存儲操作數據的存儲器單元的系統的實例。