[發明專利]用于存儲操作數據的存儲器單元在審
| 申請號: | 202111430770.6 | 申請日: | 2021-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN114582393A | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發明(設計)人: | M·博尼亞蒂;A·M·孔蒂;I·托爾托雷利 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 彭曉文 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 存儲 操作 數據 存儲器 單元 | ||
1.一種設備,其包括:
第一存儲器單元集,其各自包括硫屬化物元件且配置成用于存儲與操作第二存儲器單元集相關聯的數據,其中所述第一存儲器單元集中的第一存儲器單元包括寫入到第一邏輯狀態的已編程存儲器單元,且其中所述第一存儲器單元集中的第二存儲器單元包括存儲第二邏輯狀態的未編程存儲器單元;
用于存儲主機數據的所述第二存儲器單元集;
感測電路,其與所述第一存儲器單元集耦合且配置成識別由所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元存儲的相應邏輯狀態;以及
控制器,其與所述第一存儲器單元集、所述第二存儲器單元集和所述感測電路耦合,且配置成至少部分地基于由所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元存儲的所述相應邏輯狀態而存取所述第二存儲器單元集。
2.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括:
所述第一存儲器單元集的第一子集,其包括寫入到所述第一邏輯狀態的已編程存儲器單元,其中寫入到所述第一邏輯狀態的所述第一存儲器單元集的所述第一子集表示與操作所述第二存儲器單元集相關聯的單個數據位。
3.根據權利要求2所述的設備,其中所述第一存儲器單元集的所述第一子集包括比寫入到所述第一邏輯狀態的第二已編程存儲器單元更高的閾值電壓。
4.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括:
所述第一存儲器單元集的第一存儲器單元子集,其包括寫入到所述第一邏輯狀態的已編程存儲器單元;
所述第一存儲器單元集的第二存儲器單元子集,其包括存儲所述第二邏輯狀態的未編程存儲器單元。
5.根據權利要求4所述的設備,其中所述控制器配置成至少部分地基于寫入到所述第一邏輯狀態的所述第一存儲器單元子集和存儲所述第二邏輯狀態的所述第二存儲器單元子集的模式而存取所述第二存儲器單元集。
6.根據權利要求1所述的設備,其中:
所述第一存儲器單元集中的所述第一存儲器單元一次性地編程到所述第一邏輯狀態;且
所述第一存儲器單元集中的所述第二存儲器單元從未編程到任何邏輯狀態。
7.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一存儲器單元集中的所述第一存儲器單元配置成編程到與第一閾值電壓相關聯的所述第一邏輯狀態,或編程到與不同于所述第一閾值電壓的第二閾值電壓相關聯的所述第一邏輯狀態。
8.根據權利要求1所述的設備,其中第一存儲器單元陣列包括所述第一存儲器單元集,且與包括所述第二存儲器單元集的第二存儲器單元陣列分離。
9.根據權利要求8所述的設備,其中:
與操作所述第二存儲器單元集相關聯的所述數據的第一部分存儲在所述第一存儲器單元陣列中;且
與操作所述第二存儲器單元集相關聯的所述數據的第二部分存儲在所述第二存儲器單元陣列中。
10.根據權利要求1所述的設備,其中所述主機數據包括用于存儲在所述第二存儲器單元集中的從主機裝置接收到的信息。
11.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一存儲器單元集中的所述第一存儲器單元包括比所述第一存儲器單元集中的所述第二存儲器單元更低的閾值電壓。
12.根據權利要求1所述的設備,其中
所述第一存儲器單元集中的所述已編程第一存儲器單元與第一閾值電壓相關聯,且
所述第一存儲器單元集中的第二已編程存儲器單元與第二閾值電壓相關聯,所述第二閾值電壓至少部分地基于漂移到所述第二閾值電壓的所述第一閾值電壓。
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