[發明專利]半導體器件和制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202111430661.4
• 申請日: 2021-11-29
• 公開（公告）號: CN114582952A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 基里安·翁;本杰明·亨
• 申請（專利權）人: 安世有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張蕓;龍濤峰

1.一種半導體器件，包括：

-襯底，

-溝道，所述溝道定位在所述襯底的上方，

-漂移區，所述漂移區定位在所述溝道的上方，

-第一多晶硅，所述第一多晶硅定位在所述溝道和所述漂移區內，

-第二多晶硅，所述第二多晶硅定位在所述第一多晶硅的上方并且定位在所述漂移區內，

-其中，所述第一多晶硅和所述第二多晶硅分別通過柵極氧化物和RESURF氧化物與所述溝道和所述漂移區隔離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，與所述第一多晶硅相比，所述第二多晶硅顯著地更厚或者為至少兩倍厚。

3.根據前述權利要求中的任一項所述的半導體器件，其中，所述半導體器件進一步包括柵極和源極，所述第二多晶硅連接至所述柵極或所述源極。

4.根據前述權利要求中的任一項所述的半導體器件，其中，所述第二多晶硅是浮置的。

5.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中，所述半導體器件是雙向MOSFET器件。

6.一種制造根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件的方法。

7.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

-形成主體；

-形成用于N溝道的N阱和用于P溝道的P阱，其中所述N阱和所述P阱形成漂移區，并且所述漂移區定位在所述主體的上方；

-蝕刻出第一溝槽；

-在所述第一溝槽內生長出自對準接觸(SAC)氧化物和柵極氧化物(GOX)；

-在所述第一溝槽中沉積第一多晶硅；

-去除所述第一多晶硅的頂部部分；

-在所述第一多晶硅的上方沉積或生長出RESURF氧化物；

-在所述RESURF氧化物的上方沉積第二多晶硅；以及

-插入高濃度注入物，以形成源極、漏極和接觸開口以便拾取所述源極和所述漏極。