[發明專利]一種硅片的清洗方法

在審

• 申請號: 202111422029.5
• 申請日: 2021-11-26
• 公開（公告）號: CN114141608A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 鄭正明;馬菁;何悅;任勇
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 陳小龍

本發明提供了一種硅片的清洗方法，所述清洗方法包括以下步驟：依次對硅片進行酸洗、第一清洗液清洗以及含有制絨添加劑的第二清洗液清洗；所述清洗方法在常規清洗的基礎上進一步采用含有絨添加劑的清洗液進行清洗，可完全除去表面油污，提升清洗效果，使清洗良率達100％，從而提升產品合格率，減少返工比例；所述清洗方法流程簡單，適用于工業生產。

技術領域

本發明屬于太陽能電池制備技術領域，具體涉及一種硅片的清洗方法。

背景技術

在單晶硅太陽能電池生產中，硅片的一般生產加工流程為單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片→倒角→研磨、腐蝕→拋光→清洗→檢測→表面制絨及酸洗→擴散制結→去磷硅玻璃→等離子刻蝕及酸洗→鍍減反射膜→絲網印刷→快速燒結等。上述清洗主要指的是拋光后的最終清洗，而在單晶硅片加工過程中很多步驟都需要清洗，一般在每道工序結束之前都有一次清洗過程來盡量消除本道工序的污染物。因為在單晶硅太陽能電池生產工藝中，經切片、研磨、倒角、拋光等多道工序加工成的硅片，其表面已吸附了各種雜質，如顆粒、金屬粒子、硅粉粉塵及有機雜質，因此消除上述污染物的硅片表面清洗至關重要，且清洗的潔凈程度直接影響著電池片的成品率和可靠率。

CN111199874A公開了一種硅片清洗工藝，其包括依次進行的強氧化性溶液清洗、酸性溶液清洗、純水清洗，強氧化性溶液可與硅表面反應生成一層氧化硅薄膜，與硅片表面的金屬離子反應生成金屬氧化物，所述酸性溶液可與上述金屬氧化物反應生成鹽，上述氧化硅薄膜可與酸性溶液反應而被去除，純水可將附在硅片表面的清溶液清洗干凈。

CN110085513A公開了一種硅片清洗方法和清洗裝置，硅片清洗方法包括以下步驟：在利用藥液對硅片進行蝕刻后，將所述硅片浸入盛有超純水的浸水槽內清洗；取出浸水槽中的硅片后，將硅片依次置于第N沖洗槽、第N-1沖洗槽、…、第1沖洗槽進行清洗，在第1沖洗槽中清洗結束后，取出硅片并結束清洗；向第1沖洗槽供應清洗液并使其處于溢流狀態，第1沖洗槽溢流出的清洗液供應至第2沖洗槽中，以此類推，第N-1沖洗槽溢流出的清洗液供應至第N沖洗槽；N為大于1的整數。

上述兩種方法采用氧化后清洗，雖能去除表面不良，但在后續重新制絨的后會導致效率下降。

CN112435916A公開了一種硅片清洗方法，包括以下步驟：S00：采用SC1清洗液對硅片進行清洗，以去除硅片表面的顆粒污染、有機雜質及金屬離子，所述SC1清洗液包括NH₄OH，H₂O₂，H₂O；S01：采用DHF清洗液對硅片進行清洗，以腐蝕在步驟S00中在硅片表面形成的氧化膜，所述DHF清洗液包括HF，H₂O；S02：采用SC2清洗液對硅片進行清洗，以去除硅片表面的金屬離子，所述SC2清洗液包括HCl，H₂O₂，H₂O；S1：采用含氟離子的酸性清洗溶液對硅片進行清洗，以去除硅片中的金屬鋁離子，其中氟離子的濃度大于6^E-9mol/L，清洗溶液的PH值小于4。該方法清洗效果一般，表面或多或少會存在一些歐油污，增加不合格率。

綜上所述，如何提供一種清洗方法，提升表面清潔效果，提高合格率成為當前迫切需要解決的問題。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明的目的在于提供一種硅片的清洗方法，所述清洗方法依次采用酸洗、清洗液清洗以及制絨添加劑清洗，優化了清洗方法，提升了清洗效果，流程簡單，有利于工業化應用。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

第一方面，本發明提供了一種硅片的清洗方法，所述清洗方法包括以下步驟：

依次對硅片進行酸洗、第一清洗液清洗以及第二清洗液清洗；

所述第二清洗液包括制絨添加劑。