[發明專利]一種硅片的清洗方法在審
| 申請號： | 202111422029.5 | 申請日： | 2021-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN114141608A | 公開（公告）日： | 2022-03-04 |
| 發明（設計）人： | 鄭正明;馬菁;何悅;任勇 | 申請（專利權）人： | 橫店集團東磁股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陳小龍 |
| 地址： | 322118 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 清洗 方法 | ||
1.一種硅片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步驟：
依次對硅片進行酸洗、第一清洗液清洗以及第二清洗液清洗；
所述第二清洗液包括制絨添加劑。
2.根據權利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述酸洗采用的酸溶液包括草酸溶液；
優選地，所述草酸溶液的體積分數為15-25％；
優選地，所述酸洗的時間為5-20min。
3.根據權利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述酸洗和所述第一清洗液清洗之間進行水洗；
優選地，所述水洗的時間為5-20min。
4.根據權利要求1-3任一項所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液的組成包括無機堿、氧化劑和水。
5.根據權利要求1-4任一項所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液清洗的方式包括超聲清洗；
優選地，所述超聲清洗的頻率為20-30KHz。
6.根據權利要求1-5任一項所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液清洗的溫度為40-60℃；
優選地，所述第一清洗液清洗的時間為5-20min。
7.根據權利要求1-6任一項所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液清洗與所述第二清洗液清洗之間進行水洗；
優選地，所述水洗的時間為5-20min。
8.根據權利要求1-7任一項所述的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液按體積百分比計，包括0.3-0.6％的制絨添加劑、0.6-1.8％的雙氧水以及0.6-1.8％的氫氧化鈉，其余為水；
優選地，所述制絨添加劑的組成包括水、IPA、NaOH、弱酸鹽以及表面活性劑。
9.根據權利要求1-8任一項所述的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液清洗的溫度為25-35℃；
優選地，所述第二清洗液清洗的時間為5-20min。
10.根據權利要求1-9任一項所述的清洗方法，其特征在于，所述制絨添加劑清洗后進行干燥；
優選地，所述干燥的方式為甩干。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
