[發明專利]一種酸性蝕刻液

在審

• 申請號: 202111415342.6
• 申請日: 2021-11-25
• 公開（公告）號: CN114016042A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 葉順閔;林伯璋;蔡孟霖;許邦泓
• 申請（專利權）人: 滁州鈺順企業管理咨詢合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: C23G1/02
• 分類號: C23G1/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京七夏專利代理事務所(普通合伙) 11632
• 代理人: 劉毓珍

本發明屬于半導體制作技術領域，具體涉及一種酸性蝕刻液；本發明以固定酸性蝕刻液配方比及背面金屬去除之蝕刻標準作業流程的方式，不僅可有效完成背面金屬去除之成果，亦可有效提升產品質量與成本管控。

技術領域

本發明屬于半導體制作技術領域，具體的講涉及一種酸性蝕刻液。

背景技術

隨著半導體制作工藝的飛速發展，在半導體的制造過程中，晶圓背面刻蝕結構的制作方法對制作而成的晶圓缺陷密度的降低以及產品質量的提高具有很重要的影響。

目前的晶背金屬刻蝕技術中，使用的酸液配蝕刻效果差，有概率的會在刻蝕制成及干燥作業后查檢到鍍材蝕刻不完全。蝕刻不完全則須將芯片轉往拋光槽進行拋光再次作業，造成晶圓再次加工，晶圓良率及成本上都會有所影響。

發明內容

為解決現有技術存在的問題，本發明提供一種酸性蝕刻液，提供降低晶圓在晶背刻蝕完后的再次加工，亦降低可能所需耗費的良率及成本損失。

本發明的技術方案是這樣實現的：

一種酸性蝕刻液，包括以下組分：

氫氟酸130-170ml；

醋酸6420-6580ml；

硝酸13900-14100ml；

純水4925-5075ml。

進一步地，酸性蝕刻液包括以下組分：

氫氟酸130ml；

醋酸6420ml；

硝酸13900ml；

純水4925m。

進一步地，酸性蝕刻液包括以下組分：：

氫氟酸170ml；

醋酸6580ml；

硝酸14100ml；

純水5075ml。

進一步地，酸性蝕刻液包括以下組分：

氫氟酸150ml；

醋酸6500ml；

硝酸14000ml；

純水5000ml。

本方案的有益效果如下：

本發明提供一種酸性蝕刻液，生產過程中應用使用方法如下：A、確認待作業的芯片已完成貼膠及穩定性烘烤作業；

B、使用酸性蝕刻液蝕刻芯片的背面鍍材作業；

C、8英寸芯片使用25格鐵氟龍晶舟將芯片隔片擺滿12片，V-notch分別朝左/右方向排列；

D、6英寸芯片使用25格鐵氟龍晶舟將芯片隔片擺滿12片，平邊朝上；

E、4英寸和5英寸芯片使用25格鐵氟龍晶舟將芯片隔片擺滿12片，平邊朝上；

F、4-8英寸芯片作業時貼膠面均朝向U-bar，芯片背面朝向操作者方向，將晶舟提把握緊后，再將晶舟整體采直上直下式逐漸置入具有酸性蝕刻液的重工酸槽；

G、芯片泡酸性蝕刻液蝕刻持續至無反應氣泡產生，時間25分鐘；

H、芯片鍍材經蝕刻完成后，立即將晶舟提把握緊后直上提起并保持晶舟方向不變，確認后隨即輕緩地直下置入QDR清洗槽內開始進行自動清洗流程；