[發明專利]一種自生成脊型波導的激光器制作方法在審
| 申請號： | 202111415222.6 | 申請日： | 2021-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN114400503A | 公開（公告）日： | 2022-04-26 |
| 發明（設計）人： | 李鴻建;郭娟 | 申請（專利權）人： | 武漢云嶺光電有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/22 | 分類號： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人： | 徐俊偉 |
| 地址： | 430223 湖北省武漢市東湖新技*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生成 波導 激光器 制作方法 | ||
1.一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，生長外延結構，并于所述外延結構的正上方覆蓋掩膜層；
S2，刻蝕部分所述掩膜層至露出所述外延結構；
S3，于所述掩膜層上生長第一InP層，所述外延結構上無所述掩膜層遮擋的區域的所述第一InP層的生長速率快；
S4，在所述第一InP層上生長接觸層；
S5，去掉所述掩膜層，進行電極制作，并進行減薄、解理、測試，以完成制作。
2.如權利要求1所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于：在所述S2步驟中，刻蝕的部位在所述外延結構的中部。
3.如權利要求1所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于，所述外延結構的生長具體是：先在襯底上依次生長InP緩沖層、有源層、第二InP層、光柵層以及第三InP層。
4.如權利要求3所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于，利用MOCVD生長所述InP緩沖層、所述有源層、所述第二InP層以及所述第三InP層。
5.如權利要求3所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于，利用電子束或全息光刻與刻蝕工藝制作所述光柵層。
6.如權利要求1所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于：采用的掩膜層為SiO2/SiNx掩膜層。
7.如權利要求1所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于：先在外生長SiO2/SiNx掩膜層，然后再利用光刻工藝將所述SiO2/SiNx掩膜層轉移到第三InP層上方。
8.如權利要求1所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于：在所述S2步驟中，利用干法或濕法刻蝕工藝形成溝槽，該溝槽即刻蝕出的部位。
9.如權利要求1所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于：在所述S3步驟中，根據生長速率和時間控制所述第一InP層的高度。
10.如權利要求1所述的一種自生成脊型波導的激光器制作方法，其特征在于：所述外延結構上無所述掩膜層遮擋的區域的所述第一InP層和接觸層的生長速度是有掩膜層遮擋的區域的所述第一InP層和接觸層的生長速度的1～10倍。
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