[發明專利]靜態隨機存取存儲器的布局圖案

在審

• 申請號: 202111411027.6
• 申請日: 2021-11-25
• 公開（公告）號: CN116190371A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 王淑如;郭有策;陳建宏;黃俊憲;黃莉萍;曾俊硯
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H10B10/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種靜態隨機存取存儲器(static?random-access?memory，SRAM)的布局圖案，包含：

基底；

第一反相器，包含有第一上拉晶體管(PL1)以及第一下拉晶體管(PD1)位于該基底上；

第二反相器，包含有第二上拉晶體管(PL2)以及第二下拉晶體管(PD2)位于該基底上，其中該第一反相器與該第二反相器互相耦合；

第一存取晶體管(PG1A)及第二存取晶體管(PG1B)與該第一反相器輸出端連接，第三存取晶體管(PG2A)以及第四存取晶體管(PG2B)與該第二反相器輸出端連接，其中該PG1A的柵極與該PG2A的柵極連接至第一字符線，該PG1B的柵極與該PG2B的柵極連接至第二字符線；

多個晶體管，包含該PL1、該PD1、該PL2、該PD2、該PG1A、該PG1B、該PG2A以及該PG2B，各該晶體管都包含有柵極結構跨越至少一鰭狀結構，其中該PG1A與該PG1B包含有相同的第一鰭狀結構，該PG2A與該PG2B包含有相同的第二鰭狀結構；

第一局部互連層，位于該PG1A與該PG1B之間，位于該PG1A與該PG1B所包含的該第一鰭狀結構上，且位于該PL1與該PD1所包含的該鰭狀結構上，其中該第一局部互連層是一個一體成型結構；以及

第二局部互連層，位于該PG2A與該PG2B之間，位于該PG2A與該PG2B所包含的該第二鰭狀結構上，且位于該PL2與該PD2所包含的該鰭狀結構上，其中該第二局部互連層是一個一體成型結構。

2.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，其中該PG1A包含有第一柵極結構，該PG1B包含有第二柵極結構，該PG2A包含有第三柵極結構，該PG2B包含有第四柵極結構，該PL2與該PD2包含有第五柵極結構，該PL1以及該PD1包含有第六柵極結構。

3.如權利要求2所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一柵極結構、該第二柵極結構、該第三柵極結構、該第四柵極結構、該第五柵極結構與該第六柵極結構沿著第一方向排列。

4.如權利要求3所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，還包含有第一間距位于該第一柵極結構與該第五柵極結構之間，第二間距位于該第二柵極結構與該第六柵極結構之間，該第一間距與該第二間距在第二方向上對齊，且該第二方向垂直于該第一方向。

5.如權利要求4所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，還包含有第三間距位于該第三柵極結構與該第五柵極結構之間，第四間距位于該第四柵極結構與該第六柵極結構之間，該第三間距與該第四間距在該第二方向上對齊。

6.如權利要求3所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一局部互連層與該第二局部互連層沿著該第一方向排列。

7.如權利要求4所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，還包含：

第一位線與該PG1A相連，其中該第一位線沿著該第二方向排列；

第二位線與該PG1B相連，其中該第二位線沿著該第二方向排列；

第一虛置線，沿著該第二方向排列，并且位于該第一位線與該第二位線之間。

8.如權利要求4所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，還包含：

第三位線，與該PG2A相連，其中該第三位線沿著該第二方向排列；

第四位線，與該PG2B相連，其中該第四位線沿著該第二方向排列；

第二虛置線，沿著該第二方向排列，并且位于該第三位線與該第四位線之間。

9.如權利要求1所述的靜態隨機存取存儲器的布局圖案，還包含有多個接觸結構，位于該基底上，該多個接觸結構包含有第一Vcc接觸結構與該PL2的源極相連，第一位線接觸結構與該PG1A的源極相連，以及第一虛置層，位于該第一Vcc接觸結構與該第一位線接觸結構之間。