[發明專利]基于TiS3

有效

• 申請號: 202111404430.6
• 申請日: 2021-11-24
• 公開（公告）號: CN113839306B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 張凱;張君蓉;張玉雙
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/30
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 仲崇明

1.一種基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，包括上DBR、下DBR以及設置于上DBR和下DBR之間的有源層，

所述有源層采用TiS₃，

所述上DBR和下DBR之間的微腔的厚度為1.74 μm ~2.44 μm，

激光器的發光波長λ=1260~1360nm，

所述上DBR和下DBR為SiO₂/TiO₂材料交替組成，或所述上DBR和下DBR為SiO₂/Si₃N₄材料交替組成。

2.如權利要求1所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和有源層之間設置有上包覆層，

所述上包覆層的厚度為3λ/2n₁，n₁為上包覆層的折射率；和/或

所述下DBR和有源層之間設置有下包覆層，

所述下包覆層的厚度為λ/2n₂，n₂為下包覆層的折射率。

3.如權利要求2所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上包覆層和下包覆層的折射率小于有源層的折射率。

4.如權利要求3所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上包覆層和下包覆層的材質為SiO₂或MgF₂。

5.如權利要求1所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和下DBR為SiO₂/TiO₂材料交替組成時，

所述上DBR和下DBR的每個周期中，SiO₂材料層的厚度為235nm，TiO₂材料層的厚度為138nm，

所述上DBR和下DBR的周期數分別為6和5，

所述上DBR和下DBR之間的微腔的厚度為1.74 μm~2.38 μm 。

6.如權利要求1所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和下DBR為SiO₂/Si₃N₄材料交替組成時，

所述上DBR和下DBR的每個周期中，SiO₂材料層的厚度為243nm，Si₃N₄材料層的厚度為178nm，

所述上DBR和下DBR的周期數分別為9和8，

所述上DBR和下DBR之間的微腔的厚度為1.80 μm ~2.44 μm 。

7.一種如權利要求1至6任一所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在襯底上依次制作下DBR和下包覆層；

制作TiS₃材料層，并將其轉移至下包覆層上；

在TiS₃材料層上，依次制作上包覆層和上DBR。

8.根據權利要求7所述的TiS₃的垂直腔面激光器的制作方法，其特征在于，所述TiS₃材料層利用化學氣相輸運法生長得到。