[發明專利]一種高致密度陶瓷基復合材料及制備方法有效
| 申請號： | 202111396297.4 | 申請日： | 2021-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN113979784B | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發明（設計）人： | 霍鵬飛;金鑫;李鵬鵬;劉偉;劉俊鵬;于新民;李曉東 | 申請（專利權）人： | 航天特種材料及工藝技術研究所 |
| 主分類號： | C04B41/87 | 分類號： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京格允知識產權代理有限公司 11609 | 代理人： | 譚輝 |
| 地址： | 100074 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 致密 陶瓷 復合材料 制備 方法 | ||
1.一種高致密度陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(1)提供經PIP工藝制備的陶瓷基復合材料；所述經PIP工藝制備的陶瓷基復合材料的密度為1.7至2.1g/cm3；
(2)采用有機溶劑稀釋聚硅氮烷，得到Si3N4前驅體溶液；所述Si3N4前驅體溶液含有5至40wt％的聚硅氮烷；所述聚硅氮烷溶液的濃度與提供的經PIP工藝制備的所述陶瓷基復合材料的密度呈負相關關系；
(3)采用所述Si3N4前驅體溶液作為浸漬液對所述陶瓷基復合材料依次進行浸漬、固化和裂解步驟，得到高致密度陶瓷基復合材料。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：
所述Si3N4前驅體溶液含有5至25wt％的聚硅氮烷。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述有機溶劑為甲苯或二甲苯。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述有機溶劑為二甲苯。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述PIP工藝為PIP-SiC工藝或PIP-ZrC工藝。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：重復步驟(3)中的浸漬、固化和裂解至少一次。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：
重復步驟(3)中的浸漬、固化和裂解1至3次。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：
所述浸漬為先進行真空浸漬，然后進行壓力浸漬。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：
所述真空浸漬的真空壓力為不大于-0.095MPa，所述壓力浸漬的浸漬壓力為1.5至3MPa。
10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述固化的溫度為180至280℃，所述固化的時間為3至6h。
11.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：
所述裂解為在氮氣氣氛或氬氣氣氛中進行所述裂解。
12.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：
所述裂解的溫度為800至1100℃，所述裂解的時間為3至7h。
13.一種高致密度陶瓷基復合材料，其特征在于：所述高致密度陶瓷基復合材料通過權利要求1至12任一項所述的制備方法制得。
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