[發明專利]一種發光二極管芯片及發光裝置有效
| 申請號： | 202111395335.4 | 申請日： | 2021-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN114267762B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發明（設計）人： | 蔡琳榕;廖生地;連文黎;楊力勛 | 申請（專利權）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/50 |
| 代理公司： | 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 包愛萍;楊澤奇 |
| 地址： | 361008 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 芯片 發光 裝置 | ||
本發明提供一種具有高可靠性的發光二極管芯片，包括：半導體外延疊層，從上至下依次包括第一導電類型半導體層、發光層以及第二導電類型半導體層；凹陷區域，位于所述半導體外延疊層的邊緣，至少貫穿所述第一導電類型半導體層和發光層以裸露出凹陷表面；至少一電極，配置在所述凹陷表面上；以半導體外延疊層所在水平面的法線方向為俯視方向，從俯視方向觀之，所述電極與所述凹陷區域的側壁之間具有第一間距,所述第一間距大于等于30μm。非主動發光區域，位于所述半導體外延疊層的邊緣，貫穿所述第一導電類型半導體層和發光層以裸露出非主動發光表面；波長轉換層，至少覆蓋于半導體外延疊層的上面區域及側壁區域。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片及發光裝置。
背景技術
發光二極管(英文Light?Emitting?Diode，簡稱LED)包含有不同的發光材料及發光部件，是一種固態半導體發光元件。它因成本低、功耗低、光效高、體積小、節能環保、具有良好的光電特性等優點而被廣泛應用于照明、可見光通信及發光顯示等各種場景。
發明內容
本發明提供一種具有高可靠性的發光二極管芯片。
本發明所采用的技術方案具體如下：
具體來說，本發明一實施例提供一種發光二極管芯片，包括：
半導體外延疊層，從上至下依次包括第一導電類型半導體層、發光層以及第二導電類型半導體層；
凹陷區域，位于所述半導體外延疊層的邊緣，至少貫穿所述第一導電類型半導體層和發光層以裸露出凹陷表面；
至少一電極，配置在所述凹陷表面上；
以半導體外延疊層所在水平面的法線方向為俯視方向，從俯視方向觀之，所述電極與所述凹陷區域的側壁之間具有第一間距,所述第一間距大于等于30μm；
非主動發光區域，位于所述半導體外延疊層的邊緣，貫穿所述第一導電類型半導體層和發光層以裸露出非主動發光表面；
波長轉換層，至少覆蓋于半導體外延疊層的上面區域及側壁區域。
在一實施例中，所述非主動發光區域的側壁到相鄰發光二極管芯片上的電極之間的第二間距大于等于所述第一間距。
在一實施例中，所述第一間距大于等于50μm，或者所述第一間距大于等于85μm。
在一實施例中，至少一所述非主動發光區域由所述半導體外延疊層的側壁向內凹陷形成。
在一實施例中，所述非主動發光區域與所述凹陷區域以軸對稱和/或中心對稱的方式設置在半導體外延疊層的邊緣。
在一實施例中，從俯視方向觀之，所述非主動發光區域的面積占所述凹陷區域的面積的25％以下。
在一實施例中，所述發光二極管芯片包括一凹陷區域以及三非主動發光區域，所述三非主動發光區域包括與凹陷區域中心對稱的第一非主動發光區域、以及與凹陷區域分別軸對稱的第二非主動發光區域、第三非主動發光區域。
在一實施例中，從俯視方向觀之，所述第一非主動區域的面積小于等于所述第二非主動發光區域和第三非主動發光區域的面積之和的25％。
在一實施例中，所述第二非主動發光區域的面積或者第三非主動發光區域的面積均大于所述第一非主動區域的面積。
在一實施例中，所述發光二極管芯片包括二凹陷區域以及二非主動發光區域，分別配置在所述半導體外延疊層的四角，且所述二凹陷區域則分別位于所述半導體外延疊層的同一側邊上。
在一實施例中，所述非主動發光區域的側壁到所述發光二極管芯片的邊緣的距離在15μm以上。
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