[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管芯片及發(fā)光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111395335.4 | 申請日： | 2021-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN114267762B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔡琳榕;廖生地;連文黎;楊力勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/50 |
| 代理公司： | 廈門加減專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 包愛萍;楊澤奇 |
| 地址： | 361008 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 芯片 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種發(fā)光二極管芯片，包括：
半導(dǎo)體外延疊層，從上至下依次包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
凹陷區(qū)域，位于所述半導(dǎo)體外延疊層的邊緣，至少貫穿所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和發(fā)光層以裸露出凹陷表面；
至少一電極，配置在所述凹陷表面上；
以半導(dǎo)體外延疊層所在水平面的法線方向為俯視方向，從俯視方向觀之，所述電極與所述凹陷區(qū)域的側(cè)壁之間具有第一間距,?所述第一間距大于等于30μm；
非主動發(fā)光區(qū)域，位于所述半導(dǎo)體外延疊層的邊緣，貫穿所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和發(fā)光層以裸露出非主動發(fā)光表面；
波長轉(zhuǎn)換層，至少覆蓋于半導(dǎo)體外延疊層的上面區(qū)域及側(cè)壁區(qū)域；
其中，至少一所述非主動發(fā)光區(qū)域由所述半導(dǎo)體外延疊層的側(cè)壁向內(nèi)凹陷，所述非主動發(fā)光區(qū)域與所述凹陷區(qū)域的相對位置關(guān)系是軸對稱和/或中心對稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述非主動發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁到相鄰發(fā)光二極管芯片上的電極之間的第二間距大于等于所述第一間距。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述第一間距大于等于50μm，或者所述第一間距大于等于85μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：從俯視方向觀之，所述非主動發(fā)光區(qū)域的面積占所述凹陷區(qū)域的面積的25%以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片包括一凹陷區(qū)域以及三非主動發(fā)光區(qū)域，所述三非主動發(fā)光區(qū)域包括與凹陷區(qū)域中心對稱的第一非主動發(fā)光區(qū)域、以及與凹陷區(qū)域分別軸對稱的第二非主動發(fā)光區(qū)域、第三非主動發(fā)光區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：從俯視方向觀之，所述第一非主動發(fā)光區(qū)域的面積小于等于所述第二非主動發(fā)光區(qū)域和第三非主動發(fā)光區(qū)域的面積之和的25%。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述第二非主動發(fā)光區(qū)域的面積或者第三非主動發(fā)光區(qū)域的面積均大于所述第一非主動發(fā)光區(qū)域的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片包括二凹陷區(qū)域以及二非主動發(fā)光區(qū)域，分別配置在所述半導(dǎo)體外延疊層的四角，且所述二凹陷區(qū)域則分別位于所述半導(dǎo)體外延疊層的同一側(cè)邊上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述非主動發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁到所述發(fā)光二極管芯片的邊緣的距離在15μm以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：從俯視方向觀之，所述非主動發(fā)光區(qū)域小于等于主動發(fā)光區(qū)域總面積的10%。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：從俯視方向觀之，所述非主動發(fā)光區(qū)域的面積小于等于所述凹陷區(qū)域的面積的25%,或者所述非主動發(fā)光區(qū)域的面積小于等于所述凹陷區(qū)域的面積的20%。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：從俯視方向觀之，所述電極的面積小于等于所述凹陷區(qū)域的面積的40%。
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