[發(fā)明專利]一種半顯影干膜法實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路的蝕刻方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111394712.2
• 申請(qǐng)日: 2021-11-23
• 公開（公告）號(hào): CN113993288A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓少華;陸文;王健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上達(dá)電子（深圳）股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/06
• 分類號(hào): H05K3/06
• 代理公司: 徐州市三聯(lián)專利事務(wù)所 32220
• 代理人: 張帥

本發(fā)明涉及一種半顯影干膜法實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路的蝕刻方法，屬于線路蝕刻技術(shù)領(lǐng)域。包括步驟：在基材的銅層上貼覆干膜；利用半顯影工藝對(duì)干膜進(jìn)行減薄；對(duì)貼覆的干膜進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻、剝膜處理，完成精細(xì)線路的形成。所述的半顯影工藝處理的干膜為正性干膜的情況下，通過整板顯影，對(duì)干膜進(jìn)行減薄。本發(fā)明的有益效果是：半顯影干膜法提升了干膜解析度，生產(chǎn)產(chǎn)品線路更精細(xì)，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力；干膜價(jià)格便宜，降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本；半顯影干膜法使用干膜貼覆工藝，相較涂布光刻膠工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，價(jià)格低廉，生產(chǎn)難度降低。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半顯影干膜法實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路的蝕刻方法，屬于線路蝕刻技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的隨著電子行業(yè)的飛速發(fā)展，社會(huì)對(duì)印刷線路板的需求量急劇增加，人們對(duì)精細(xì)線路的需求更為迫切，但精細(xì)線路的生產(chǎn)難度過大，目前行業(yè)中線路形成主要采用干膜或光刻膠作為抗蝕劑。因干膜厚度原因，解析度低，無法做成精細(xì)線路；光刻膠雖然解決了干膜厚度造成解析度低的問題，但是涂布光刻膠設(shè)備龐大，工藝復(fù)雜，光刻膠的價(jià)格昂貴，大大增加了產(chǎn)品成本。

目前應(yīng)用最廣泛的技術(shù)是在基材上貼覆干膜，曝光、顯影、蝕刻、剝膜，線路形成。干膜作為抗蝕劑，受到干膜厚度的影響，解析度低，無法形成精細(xì)線路。

目前行業(yè)里，形成精細(xì)線路（線心距小于50微米）的工藝是基材上涂布液體光刻膠，靜置、曝光、顯影、蝕刻、剝膜，精細(xì)線路形成。選用液體光刻膠作為抗蝕劑解決了解析度差的問題，但是涂布光刻膠設(shè)備龐大，工藝復(fù)雜，設(shè)備價(jià)格昂貴，生產(chǎn)難度高；光刻膠價(jià)格昂貴，產(chǎn)品成本增加。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明提供一種半顯影干膜法實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路的蝕刻方法，采用半顯影工藝對(duì)干膜進(jìn)行減薄，提高干膜解析度，形成精細(xì)線路。

本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種半顯影干膜法實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路的蝕刻方法，其特征在于，包括步驟：

在基材的銅層上貼覆干膜；

利用半顯影工藝對(duì)干膜進(jìn)行減薄；

對(duì)貼覆的干膜進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻、剝膜處理，完成精細(xì)線路的形成。

所述的半顯影工藝處理的干膜為正性干膜的情況下，通過整板顯影，對(duì)干膜進(jìn)行減薄。

所述的正性干膜的半顯影工藝通過對(duì)顯影液的管控做到半顯影的效果。

所述的干膜為負(fù)性干膜的情況下，通過整板顯影，對(duì)干膜進(jìn)行減薄。

所述的負(fù)性干膜的半顯影工藝通過對(duì)顯影液的管控做到半顯影的效果。

本發(fā)明的有益效果是：半顯影干膜法提升了干膜解析度，生產(chǎn)產(chǎn)品線路更精細(xì)，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力；干膜價(jià)格便宜，降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本；半顯影干膜法使用干膜貼覆工藝，相較涂布光刻膠工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，價(jià)格低廉，生產(chǎn)難度降低。

附圖說明

下面根據(jù)附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。

圖1是本發(fā)明的流程原理圖。

圖中：1、銅層；2、干膜。

具體實(shí)施方式

如圖1所示的一種半顯影干膜法實(shí)現(xiàn)精細(xì)線路的蝕刻方法，其特征在于，包括步驟：

在基材的銅層1上貼覆干膜2；

利用半顯影工藝對(duì)干膜2進(jìn)行減薄；

對(duì)貼覆的干膜2進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻、剝膜處理，完成精細(xì)線路的形成。

所述的半顯影工藝處理的干膜2為正性干膜的情況下，具體操作步驟如下：

在基材銅箔上貼覆干膜，可采用輥壓式干式貼合或濕法貼合。

產(chǎn)品進(jìn)行半顯影處理，通過控制顯影液濃度，溫度，反應(yīng)時(shí)間可選的主體藥液包含NaOH，Na2CO3等參數(shù)，可控的實(shí)現(xiàn)半顯影深度，達(dá)到干膜減薄的效果。