[發明專利]一種半顯影干膜法實現精細線路的蝕刻方法在審
| 申請號： | 202111394712.2 | 申請日： | 2021-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN113993288A | 公開（公告）日： | 2022-01-28 |
| 發明（設計）人： | 韓少華;陸文;王健 | 申請（專利權）人： | 上達電子（深圳）股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/06 | 分類號： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 徐州市三聯專利事務所 32220 | 代理人： | 張帥 |
| 地址： | 518100 廣東省深圳市寶安區沙井街道黃*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 顯影 干膜法 實現 精細 線路 蝕刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半顯影干膜法實現精細線路的蝕刻方法，其特征在于，包括步驟：
在基材的銅層（1）上貼覆干膜（2）；
利用半顯影工藝對干膜（2）進行減薄；
對貼覆的干膜（2）進行曝光、顯影、蝕刻、剝膜處理，完成精細線路的形成。
2.根據權利要求1所述的一種半顯影干膜法實現精細線路的蝕刻方法，其特征在于：所述的半顯影工藝處理的干膜（2）為正性干膜的情況下，整板顯影，對干膜進行減薄。
3.根據權利要求2所述的一種半顯影干膜法實現精細線路的蝕刻方法，其特征在于：所述的正性干膜的半顯影工藝通過顯影液的管控做到半顯影的效果。
4.根據權利要求1所述的一種半顯影干膜法實現精細線路的蝕刻方法，其特征在于：所述的干膜（2）為負性干膜的情況下，通過整板顯影，對干膜進行減薄。
5.根據權利要求4所述的一種半顯影干膜法實現精細線路的蝕刻方法，其特征在于：所述的負性干膜的半顯影工藝通過對顯影液的管控做到半顯影的效果。
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