[發明專利]液處理方法和液處理裝置

在審

• 申請號: 202111394120.0
• 申請日: 2021-11-23
• 公開（公告）號: CN114570556A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 宮窪祐允;高橋哲平
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B05B13/02
• 分類號: B05B13/02;B05B12/08;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供液處理方法和液處理裝置，能夠抑制由從基片甩落的涂敷液導致的棉絮狀塊的產生。液處理方法包括：將涂敷液供給到基片的正面的步驟；和使上述涂敷液在上述基片的正面上擴散，在該正面上形成涂敷膜的步驟，在上述形成涂敷膜的步驟中，從上述涂敷液到達上述基片的正面的周緣部前起，開始從溶劑供給部向上述周緣部連續供給上述涂敷液的溶劑，并至少持續至上述形成涂敷膜的步驟結束。

技術領域

本發明涉及液處理方法和液處理裝置。

背景技術

專利文獻1的基片處理裝置，在旋轉保持部的下方配置有圓板狀的杯狀基體，在杯狀基體安裝有環狀的中杯狀體。杯狀基體的中央部形成貫通孔，電動機的旋轉軸貫通貫通孔地配置，在其前端安裝有旋轉保持部。在杯狀基體沿著貫通孔地形成有多個通氣孔。通氣孔配置在與比旋轉保持部的外周部靠內側處對應的位置。當被旋轉保持部保持的基片以高速旋轉時，通過通氣孔向基片的背面側供給空氣，防止基片側的背面側的空間成為負壓，由此能夠防止霧向基片的背面側漫延。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-283899號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明的技術能夠抑制由從基片甩落的涂敷液引起的棉絮狀塊的產生。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式包括：將涂敷液供給到基片的正面的步驟；和使上述涂敷液在上述基片的正面上擴散，在該正面上形成涂敷膜的步驟，在上述形成涂敷膜的步驟中，從上述涂敷液到達上述基片的正面的周緣部前起，開始從溶劑供給部向上述周緣部連續供給上述涂敷液的溶劑，并至少持續至上述形成涂敷膜的步驟結束。

發明效果

依照本發明，能夠抑制由從基片甩落的涂敷液引起的棉絮狀塊的產生。

附圖說明

圖1是示意性地表示從基片甩落的涂敷液形成的絲狀部的圖。

圖2是表示作為本實施方式的液處理裝置的抗蝕劑涂敷裝置的概要結構的縱截面圖。

圖3是表示作為本實施方式的液處理裝置的抗蝕劑涂敷裝置的概要結構的橫截面圖。

圖4是用于說明抗蝕劑涂敷裝置中的晶片處理流程的一例的流程圖。

圖5是概略地表示晶片處理中包含的各步驟時的晶片W的情形的圖。

圖6是表示連續供給有機溶劑時的溶劑供給噴嘴的位置的例子的圖。

圖7是表示確認試驗1的結果的圖。

圖8是表示確認試驗3的結果的圖。

附圖標記說明

1 抗蝕劑涂敷裝置

20 旋轉保持部

43 抗蝕劑液供給噴嘴

46 溶劑供給噴嘴

100 控制部

B 邊緣傾斜部

W 晶片

We 周緣部

Ws 正面。

具體實施方式

在半導體器件等的制造工藝中，進行在半導體晶片(以下稱為“晶片”。)等基片上涂敷抗蝕劑液等涂敷液來形成涂敷膜的涂敷處理。