[發明專利]一種鰭結構造型方法、器件、存儲介質及機臺

在審

• 申請號: 202111390045.0
• 申請日: 2021-11-23
• 公開（公告）號: CN114121670A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 李勇
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王關根

本發明實施例公開了一種鰭結構造型方法、器件、存儲介質及機臺；其中，鰭造型方法在保持良好防穿透性能的同時，通過鰭結構收縮的APT（Anti Punch Through）區域，獲得了高的載流子遷移率；其中，通過刻蝕區、層間介質的預設及回刻獲得了溝槽和鰭結構，通過三處臺階處理和表面處理，形成了APT凹槽結構；相關的器件、存儲介質及機臺同樣以上述結構為核心，改善了APT特性和產品的整體性能。

技術領域

本發明屬于微電子技術領域，尤其涉及一種鰭結構造型方法、器件、存儲介質及機臺。

背景技術

APT（Anti Punch Through）防穿透區域常采用摻雜方式進行構造，其包含副作用；當摻雜物出現非預期的擴散時將變得更糟，因而也就限制了采用摻雜方式來改善遷移率的適用性；進而需要一種既能保證良好的APT性能，又可以獲得更高遷移率的方法或產品。

發明內容

本發明公開了一種鰭結構造型方法、器件、存儲介質及機臺；采用一種收縮的鰭結構，有效控制了相應區域的穿透特性。

其中，在刻蝕區圖形轉移步驟，通過構造第一刻蝕區與第二刻蝕區于襯底之上；為器件或結構的造型設立功能區。

其第一刻蝕區包括至少兩條第一工藝溝道，該至少兩條第一工藝溝道之間構造有至少一鰭造型區；該鰭造型區為襯底的鰭狀凸起；該鰭狀凸起上自襯底側依次構造有第一隔離層和第一臨時層；其中的第一隔離層由第一介質填充。

進一步地，在層間介質構造步驟，填充第一介質到第一工藝溝槽的空白區域中，為后續功能結構的造型提供基材。

進一步地，通過第一臺階構造步驟，回刻第一臨時層所在的區域及第一工藝溝道填充第一介質后的區域，目的在于形成第一臺階；該第一臺階將成為鰭結構的主體部分。

緊接著，在第二、第三臺階構造步驟，通過構造第二臨時層于第一臺階的側面，為后續結構的處理構造中間結構。

其中，第一臺階的高度為第一臺階高度；此時，以襯底為終止層，沿水平方向由外至內回刻第二臨時層形成第二臺階和第三臺階；使第二臺階沿垂直于晶圓表面方向的尺寸為第一寬度，使第三臺階沿垂直于晶圓表面方向的尺寸為第二寬度。

進一步地，通過表面處理步驟氧化或實施表面處理襯底于第二臺階及第三臺階處裸露部分預設的深度或持續氧化或實施表面處理預設的時長；形成第一處理層及第二處理層。

其中，第一處理層沿垂直于晶圓底面方向的深度為第一處理深度，第二處理層沿平行于晶圓底面方向的深度為第二處理深度。

進一步地，在臺階清理步驟，去除鰭造型區的第二臨時層、第一處理層及第二處理層，在鰭造型區與第一工藝溝道相接處形成凹槽結構。

進一步地，還可包括鰭面處理步驟，通過氧化或實施表面處理鰭構造區的表面，形成預設厚度的第三處理層；其中，第三處理層將鰭構造區封蓋于其內部。

進一步地，還可包括臨時包裹步驟，通過填充第三臨時層于第一工藝溝道直至覆蓋所述晶圓表面，為后續工藝步驟提供連片的加工區；可進行后續的刻蝕或圖形化等操作。

進一步地，上述平坦化可針對第三臨時層來推行；其中，平臺化過程可采用CMP制程或方法。

進一步地，其第三臨時層可以是偽多晶硅層；該偽多晶硅層用于偽柵極的構造。

具體地，上述襯底可以為硅襯底；其第一隔離層可以為硅氧化層或由硅氧化物構造；第三處理層可由硅氧化物構造或其成分為硅氧化物。

進一步地，第一介質可以為硅氧化物；第一臨時層由第二介質填充，第二介質與第三臨時層可采用相同的材料構造。