[發(fā)明專利]一種鰭結構造型方法、器件、存儲介質及機臺

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111390045.0
• 申請日: 2021-11-23
• 公開（公告）號: CN114121670A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 李勇
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王關根

1.一種鰭結構造型方法，其特征在于，包括：

刻蝕區(qū)圖形轉移步驟（11），構造第一刻蝕區(qū)與第二刻蝕區(qū)于襯底（100）之上；所述第一刻蝕區(qū)包括至少兩條第一工藝溝道（201、202、203、204），所述至少兩條第一工藝溝道（201、202、203、204）之間構造有至少一鰭造型區(qū)（301、302、303）；所述鰭造型區(qū)（301、302、303）為所述襯底（100）的鰭狀凸起；所述鰭狀凸起上自所述襯底（100）側依次構造有第一隔離層（101）和第一臨時層（102）；所述第一隔離層（101）由第一介質填充；

層間介質構造步驟（22），填充所述第一介質到所述第一工藝溝槽（201、202、203、204）的空白區(qū)域中；

第一臺階構造步驟（33），回刻所述第一臨時層（102）所在的區(qū)域及所述第一工藝溝道（201、202、203、204）填充所述第一介質后的區(qū)域，形成第一臺階（311、312、313）；

第二、第三臺階構造步驟（44），構造第二臨時層（103）于所述第一臺階（311、312、313）的側面；其中所述第一臺階（311、312、313）的高度為第一臺階高度（401）；以所述襯底（100）為終止層，沿水平方向由外至內回刻所述第二臨時層（103）形成第二臺階（321、322、323）和第三臺階（331、332、333）；其中，所述第二臺階（321、322、323）沿垂直于晶圓表面方向的尺寸為第一寬度（501），所述第三臺階沿垂直于晶圓表面方向的尺寸為第二寬度（502）；

表面處理步驟（55），氧化或實施表面處理所述襯底（100）于所述第二臺階（321、322、323）及所述第三臺階（331、332、333）處裸露部分預設的深度或持續(xù)氧化或實施表面處理預設的時長；形成第一處理層（611、612、613）及第二處理層（621、622、623），所述第一處理層（611、612、613）沿垂直于晶圓底面方向的深度為第一處理深度，所述第二處理層（621、622、623）沿平行于所述晶圓底面方向的深度為第二處理深度；

臺階清理步驟（66），去除所述鰭造型區(qū)（301、302、303）的所述第二臨時層（103）、所述第一處理層（611、612、613）及所述第二處理層（621、622、623），在所述鰭造型區(qū)（301、302、303）與所述第一工藝溝道（201、202、203、204）相接處形成凹槽結構（701、702、703）。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：

鰭面處理步驟，氧化或實施表面處理所述鰭構造區(qū)（301、302、303）的表面，形成預設厚度的第三處理層（631、632、633）；所述第三處理層（631、632、633）將所述鰭構造區(qū)（301、302、303）封蓋于其內部。

3.如權利要求2所述的方法，還包括：

臨時包裹步驟，填充第三臨時層（104）于所述第一工藝溝道（201、202、203、204）直至覆蓋所述晶圓表面。

4.如權利要求3所述的方法，其中：

平坦化所述第三臨時層（104）；

所述平臺化過程采用CMP制程。

5.如權利要求3所述的方法，其中：

所述第三臨時層（104）為偽多晶硅層；

所述偽多晶硅層用于偽柵極的構造。

6.如權利要求1-5的任一所述的方法，其中：

所述襯底（100）為硅襯底；

所述第一隔離層（101）為硅氧化層或由硅氧化物構造；

所述第三處理層由硅氧化物構造或其成分為硅氧化物。

7.如權利要求6所述的方法，其中：

所述第一介質為硅氧化物；

所述第一臨時層（102）由第二介質填充，所述第二介質與所述第三臨時層（104）采用相同的材料構造。