[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制備裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111387359.5
• 申請(qǐng)日: 2021-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN116145105A
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱海洋;荊學(xué)珍;劉月華;伍斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 唐嘉

一種半導(dǎo)體制備裝置，包括：腔體；位于所述腔體內(nèi)的工作臺(tái)；位于所述工作臺(tái)上方的蓋板，所述蓋板具有相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第二表面面向所述工作臺(tái)，所述蓋板邊緣與所述腔體側(cè)壁固定；位于所述腔體上方的光源；位于腔體底部的第一基板，所述第一基板內(nèi)具有若干沿垂直于第二表面貫穿所述第一基板表面的若干第一基板孔洞，所述第一基板投影于所述第二表面的圖形為第一圖形，所述第一圖形為中心對(duì)稱圖形，所述第一圖形的對(duì)稱中心與第二表面的中心重合。所述半導(dǎo)體制備裝置的使用壽命更長(zhǎng)，同時(shí)使制備工藝的穩(wěn)定性更高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的工藝設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體制備裝置。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，制備尺寸更小、結(jié)構(gòu)更精密的半導(dǎo)體器件逐漸成為重要的行業(yè)趨勢(shì)。其中，精密半導(dǎo)體器件中通常包括高深寬比結(jié)構(gòu)，例如半導(dǎo)體器件中的淺溝槽隔離區(qū)、層間介質(zhì)層等。

流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積(Flowable?Chemical?Vapor?Deposition，簡(jiǎn)稱FCVD)由于其良好的階梯覆蓋性與充分填充孔隙的能力，被廣泛運(yùn)用于高深寬比孔隙的填充工藝中。在制備過程中，使用FCVD工藝形成流動(dòng)式膜層后，還需對(duì)流動(dòng)式膜層進(jìn)行固化處理，以完成孔隙填充。由于固化處理的過程中易產(chǎn)生副產(chǎn)物沉積在半導(dǎo)體制備裝置的腔體內(nèi)，影響器件的制備效果，因此需要對(duì)半導(dǎo)體制備裝置進(jìn)行定期清潔。

然而，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體制備裝置的清潔工藝中，由于半導(dǎo)體制備裝置的結(jié)構(gòu)限制，清潔氣體在半導(dǎo)體制備裝置的腔體內(nèi)分布不均勻，導(dǎo)致清潔過程中腔體內(nèi)的部分區(qū)域受到過度清潔，并產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒，從而損壞了腔體內(nèi)的部件，縮短了腔體的使用壽命，同時(shí)影響了制備工藝的穩(wěn)定性，降低了良品率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體制備裝置，在清潔過程中，清潔氣體在半導(dǎo)體制備裝置的腔體內(nèi)均勻分布，以解決清潔過程中腔體內(nèi)部件受到過度清潔的問題，從而延長(zhǎng)了半導(dǎo)體裝置的使用壽命，并提升了制備工藝的穩(wěn)定性，提升了良品率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明技術(shù)方案提供一種半導(dǎo)體制備裝置，包括：腔體；位于所述腔體內(nèi)的工作臺(tái)；位于所述工作臺(tái)上方的蓋板，所述蓋板具有相對(duì)的第一表面和第二表面，所述第二表面面向所述工作臺(tái)，所述蓋板邊緣與所述腔體側(cè)壁固定；位于所述腔體上方的光源；位于腔體底部的第一基板，所述第一基板內(nèi)具有若干沿垂直于第二表面貫穿所述第一基板表面的若干第一基板孔洞，所述第一基板投影于所述第二表面的圖形為第一圖形，所述第一圖形為中心對(duì)稱圖形，所述第一圖形的對(duì)稱中心與第二表面的中心重合。

可選的，半導(dǎo)體制備裝置還包括：供氣管道，所述供氣管道與所述第一基板孔洞相連。

可選的，所述若干第一基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括若干第一圖形組，各組第一圖形組包括若干對(duì)應(yīng)于各第一基板孔洞的孔洞圖形，同一第一圖形組的各孔洞圖形中心離所述第二表面的中心的距離相等，不同第一圖形組的各孔洞圖形中心離所述第二表面的中心的距離不同。

可選的，各所述第一基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括圓形。

可選的，同一第一圖形組的各孔洞圖形的直徑相同；不同第一圖形組的各孔洞圖形的直徑相同或不同。

可選的，半導(dǎo)體制備裝置還包括：位于所述第一基板與所述工作臺(tái)上表面之間的第二基板，所述第二基板內(nèi)具有若干沿垂直于第二表面貫穿所述第二基板表面的第二基板孔洞，所述第二基板投影于所述第二表面的圖形為第二圖形，所述第二圖形為中心對(duì)稱圖形，所述第二圖形的對(duì)稱中心與第二表面的中心重合。

可選的，所述第二基板的數(shù)量大于或等于1。

可選的，所述第二基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括同心圓環(huán)。