[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制備裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111387359.5
• 申請日: 2021-11-22
• 公開（公告）號: CN116145105A
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱海洋;荊學(xué)珍;劉月華;伍斌
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 唐嘉

1.一種半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，包括：

腔體；

位于所述腔體內(nèi)的工作臺；

位于所述工作臺上方的蓋板，所述蓋板具有相對的第一表面和第二表面，所述第二表面面向所述工作臺，所述蓋板邊緣與所述腔體側(cè)壁固定；

位于所述腔體上方的光源；

位于腔體底部的第一基板，所述第一基板內(nèi)具有若干沿垂直于第二表面貫穿所述第一基板表面的若干第一基板孔洞，所述第一基板投影于所述第二表面的圖形為第一圖形，所述第一圖形為中心對稱圖形，所述第一圖形的對稱中心與第二表面的中心重合。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，還包括：供氣管道，所述供氣管道與所述第一基板孔洞相連。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述若干第一基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括若干第一圖形組，各組第一圖形組包括若干對應(yīng)于各第一基板孔洞的孔洞圖形，同一第一圖形組的各孔洞圖形中心離所述第二表面的中心的距離相等，不同第一圖形組的各孔洞圖形中心離所述第二表面的中心的距離不同。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，各所述第一基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括圓形。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，同一第一圖形組的各孔洞圖形的直徑相同；不同第一圖形組的各孔洞圖形的直徑相同或不同。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，還包括：位于所述第一基板與所述工作臺上表面之間的第二基板，所述第二基板內(nèi)具有若干沿垂直于第二表面貫穿所述第二基板表面的第二基板孔洞，所述第二基板投影于所述第二表面的圖形為第二圖形，所述第二圖形為中心對稱圖形，所述第二圖形的對稱中心與第二表面的中心重合。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述第二基板的數(shù)量大于或等于1。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述第二基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括同心圓環(huán)。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述若干第二基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括若干第二圖形組，各組第二圖形組包括若干對應(yīng)于各第二基板孔洞的孔洞圖形，同一第二圖形組的各孔洞圖形中心離所述第二表面的中心的距離相等，不同第二圖形組的各孔洞圖形中心離所述第二表面的中心的距離不同。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，各所述第二基板孔洞投影于所述第二表面的圖形包括圓形。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，同一第二圖形組的各孔洞圖形的直徑相同；不同第二圖形組的各孔洞圖形的直徑相同或不同。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述蓋板的構(gòu)成材料包括二氧化硅。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述光源包括紫外線光源。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制備裝置，其特征在于，所述蓋板具有若干沿垂直于第二表面貫穿蓋板的通氣孔。