[發(fā)明專利]一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池及其制備方法

在審

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• 申請日: 2021-11-22
• 公開（公告）號: CN114188438A
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢洪強;張樹德;原慶東;蔡霞;周海龍;荊蓉蓉
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司;山東騰暉新能源技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 蘇州謹和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 葉棟

本發(fā)明涉及一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池及其制備方法，屬于電池制備技術(shù)領(lǐng)域。生產(chǎn)鈍化接觸晶硅電池步驟中首先進行切割步驟，將硅片分成至少兩片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。本發(fā)明提供的一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，將對電池的切割工序優(yōu)化改變成對硅片的切割，設(shè)置到鈍化接觸電池生產(chǎn)工序之前，從根源上解決了電池片的切割損失。通過背面處理工藝步驟和正面鈍化及背面鈍化等步驟對切割面進行化學(xué)腐蝕修復(fù)和鈍化修復(fù)，使得切割面被包裹在鈍化層中，杜絕與空氣的接觸，解決了邊緣切割損失，避免了電池少子壽命的降低，提升電池轉(zhuǎn)換效率的同時增加封裝的組件功率輸出。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池及其制備方法，屬于電池制備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

近年來綠色無污染的太陽能光伏發(fā)電應(yīng)用越來越廣。光伏不斷發(fā)展的目標就是實現(xiàn)平價上網(wǎng)，所以市場上的客戶對低成本高功率的產(chǎn)品有更大的需求熱情。

原來組件的封裝均采用全片設(shè)計，因此組件方面隨著輸出電流的不斷提高，內(nèi)部損耗造成的影響越來越大，而且提高組件功率方式已到瓶頸，為了降低組件內(nèi)部損耗提高組件的輸出功率，組件封裝逐步更新到現(xiàn)在的半片或者多片技術(shù)，通過電池半片切割后可以降低電池串聯(lián)的電流1/2，根據(jù)內(nèi)部損耗＝I²R的原理，內(nèi)部損耗可以降低到1/4，如果是三分之一片的話，內(nèi)部損耗可以降低到1/9。從而可實現(xiàn)組件功率的大幅度提升。

由于現(xiàn)在的電池的切割都是在組件端進行，通過激光熱熔和物理破壞相結(jié)合的方法，切割后的電池側(cè)面有一定的物理損傷，更重要的是鈍化接觸電池的硅基體全部裸露在空氣中，懸掛鍵的大量存在和晶格缺陷都會導(dǎo)致太陽能電池的復(fù)合增加，減少整體的少子壽命，從而降低電池的轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池及其制備方法，通過本申請的工藝流程可完全解決鈍化接觸晶硅電池的切割損失。

為達到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，包括以下步驟：

S1、切割：對硅片進行分片切割；

S2、制絨：將步驟S1切割后的硅片進行堿式制絨；

S3、硼擴散：將步驟S2處理后的硅片形成硼擴散層；

S4、背面處理：將步驟S3處理后的硅片背面和步驟S1形成的切割面進行處理，去除所述硅片背面由所述步驟S4形成的硼硅玻璃，并對所述切割面和背面進行化學(xué)腐蝕；

S5、背鈍化：將步驟S4處理得到的硅片背面生長氧化硅薄層，在所述氧化硅薄層上沉積摻雜形成多晶硅層；

S6、去除背面磷硅玻璃、正面繞鍍和正面硼硅玻璃：將步驟S5處理得到的硅片使用酸溶液去除背面磷硅玻璃，使用堿溶液去除正面和切割面的多晶硅層，使用酸溶液去除正面硼硅玻璃；

S7、正鍍膜：將步驟S6處理得到的硅片的正面及切割面形成氧化鋁和氮化硅疊層鈍化減反膜；

S8、背鍍膜：將步驟S7處理得到的硅片的背面及切割面形成氮化硅的鈍化膜；

S9、正背金屬化以及燒結(jié)：將步驟S8處理得到的硅片使用絲網(wǎng)印刷或者電鍍在正面和背面形成正背電極，通過燒結(jié)方式形成合金；

其中，所述步驟S1中激光裝置上設(shè)置有硬性或柔性的光路導(dǎo)管，所述激光導(dǎo)管用于通過并聚集激光光束，所述切割步驟中光路導(dǎo)管和硅片間距離設(shè)置為 0-2mm。

進一步地，所述步驟S1中切割將硅片分成至少兩片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。

進一步地，所述步驟S1中硅片表面切割形成的切割槽深度為1-90μm。