[發明專利]一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202111385168.5
• 申請日: 2021-11-22
• 公開（公告）號: CN114188438A
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 錢洪強;張樹德;原慶東;蔡霞;周海龍;荊蓉蓉
• 申請（專利權）人: 蘇州騰暉光伏技術有限公司;山東騰暉新能源技術有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 葉棟

1.一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、切割：使用激光對硅片進行分片切割；

S2、制絨：將步驟S1切割后的硅片進行堿式制絨；

S3、硼擴散：將步驟S2處理后的硅片形成硼擴散層；

S4、背面處理：將步驟S3處理后的硅片背面和步驟S1形成的切割面進行處理，去除所述硅片背面由所述步驟S4形成的硼硅玻璃，并對所述切割面和背面進行化學腐蝕；

S5、背鈍化：將步驟S4處理得到的硅片背面生長氧化硅薄層，在所述氧化硅薄層上沉積摻雜形成多晶硅層；

S6、去除背面磷硅玻璃、正面繞鍍和正面硼硅玻璃：將步驟S5處理得到的硅片使用酸溶液去除背面磷硅玻璃，使用堿溶液去除正面和切割面的多晶硅層，使用酸溶液去除正面硼硅玻璃；

S7、正鍍膜：將步驟S6處理得到的硅片的正面及切割面形成氧化鋁和氮化硅疊層鈍化減反膜；

S8、背鍍膜：將步驟S7處理得到的硅片的背面及切割面形成氮化硅的鈍化膜；

S9、正背金屬化以及燒結：將步驟S8處理得到的硅片使用絲網印刷或者電鍍在正面和背面形成正背電極，通過燒結方式形成合金；

其中，所述步驟S1中激光裝置上設置有硬性或柔性的光路導管，所述激光導管用于通過并聚集激光光束，所述切割步驟中光路導管和硅片間距離設置為0-2mm。

2.如權利要求1所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中切割將硅片分成至少兩片分片、和/或在硅片表面切割形成切割槽。

3.如權利要求2所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中硅片表面切割形成的切割槽深度為1-90μm。

4.如權利要求1所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中的硼擴散為對所述硅片的正面進行硼擴散。

5.如權利要求1所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中硼擴散溫度為900-1050℃。

6.如權利要求1所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中化學腐蝕為使用HF和HNO₃溶液對所述硅片腐蝕修復。

7.如權利要求1所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中的氧化硅薄層厚度為0.1-2nm。

8.如權利要求1所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中的多晶硅層為使用N+型多晶硅在所述氧化硅薄層上沉積磷摻雜。

9.如權利要求1所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中的多晶硅層為10-200nm。

10.一種無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池，其特征在于，如權利要求1-9中任一項所述的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池的制備方法制備得到的無邊緣切割損失的鈍化接觸晶硅電池。