[發明專利]一種高壓集成電路

在審

• 申請號: 202111371731.3
• 申請日: 2021-11-18
• 公開（公告）號: CN113949370A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 馮宇翔;左安超;潘志堅;張土明;謝榮才
• 申請（專利權）人: 廣東匯芯半導體有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567;H03K17/08
• 代理公司: 江門市博盈知識產權代理事務所(普通合伙) 44577
• 代理人: 何辦君

本發明涉及電子電路技術領域，具體公開了一種高壓集成電路，包括信號輸入電路、第一施密特電路、濾波器、電平轉換電路、高壓DOMS電路、RS觸發器、信號輸出電路及溫控雙脈沖電路，所述第一施密特電路分別與信號輸入電路及濾波器電性連接，所述電平轉換電路與所述濾波器電性連接，所述溫控雙脈沖電路分別與所述電平轉換電路及高壓DOMS電路電性連接，所述RS觸發器分別與所述高壓DOMS電路及信號輸出電路電性連接。本發明增加設置溫控雙脈沖電路根據芯片功耗問題來控制雙脈沖之間的距離，避免雙脈沖GEN會在短時間內增加芯片功耗而發熱，并能確保RS觸發器可獲取驅動信號，芯片溫度越高，兩脈沖之間的距離越遠。

技術領域

本發明涉及電子電路技術領域，特別涉及一種高壓集成電路。

背景技術

高壓集成電路，即HVIC，是一種把MCU信號轉換成驅動IGBT信號的集成電路產品。HVIC把PMOS管、NMOS管、三極管、二極管、穩壓管、電阻、電容集成在一起，形成施密特、低壓LEVELSHIFT、高壓LEVELSHIFT、脈沖發生電路、延時電路、濾波電路、過電流保護電路和過熱保護電路、欠壓保護電路、自舉電路等電路。現有的HVIC的高側驅動電路中的單脈沖GEN電路，在HIN信號的上升沿和下降沿分別產生脈沖，用于驅動DMOS,脈沖寬度一般在幾百納秒，使HIN與HO對應。HVIC的基本高側驅動拓撲結構如圖1所示。但在HVIC驅動負載為大電感電路時，VS電壓在某種情況下會被拉低，導致RS觸發器無法記錄到單脈沖GEN發出的信號。為解決此問題，將單脈沖信號GEN改為雙脈沖GEN信號，確保RS觸發器可獲取驅動信號，但是雙脈沖GEN會在短時間內增加芯片功耗而發熱。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述缺陷，提供一種高壓集成電路，解決傳統的HVIC內部采用單脈沖GEN電路情況下，驅動負載為大電感電路時，VS電壓在某種情況下會被拉低，導致RS觸發器無法記錄到單脈沖GEN電路發出信號的問題，在雙脈沖GEN電路中增加溫控延遲電路，即增加設置溫控雙脈沖電路根據芯片功耗問題來控制雙脈沖之間的距離，避免雙脈沖GEN會在短時間內增加芯片功耗而發熱，并能確保RS觸發器可獲取驅動信號。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案是：

一種高壓集成電路，包括信號輸入電路、第一施密特電路、濾波器、電平轉換電路、高壓DOMS電路、RS觸發器、信號輸出電路及溫控雙脈沖電路，所述第一施密特電路分別與信號輸入電路及濾波器電性連接，所述電平轉換電路與所述濾波器電性連接，所述溫控雙脈沖電路分別與所述電平轉換電路及高壓DOMS電路電性連接，所述RS觸發器分別與所述高壓DOMS電路及信號輸出電路電性連接。

優選地，所述溫控雙脈沖電路由一個溫控延遲電路、兩個單脈沖GEN電路、以及兩個或門組成。

優選地，所述或門包括第一或門及第二或門，所述第一或門及第二或門分別與所述單脈沖GEN電路電性連接，所述電平轉換電路分別與單脈沖GEN電路及溫控延遲電路電性連接，所述溫控延遲電路分別與所述電平轉換電路及單脈沖GEN電路電性連接。

優選地，所述溫控延遲電路包括帶隙基準電路、PMOS管Q3、電容C1、第二施密特電路及脈沖寬度調節電路，所述電平轉換電路的輸出端分別與所述POMC管Q3及脈沖寬度調節電路電性連接，所述帶隙基準電路分別與電容C1及第二施密特電路電性連接，所述第二施密特電路與所述單脈沖GEN電路電性連接。

優選地，所述帶隙基準電路包括由電阻R1、電阻R2、電阻R3、三極管Q4及三極管Q5組成。

優選地，所述電阻R1的一端及電阻R2的極端均與三極管Q3的漏極連接，所述電阻R1的另一端、三極管Q4的集電極及三極管Q4的基極均與三極管Q5的基極連接，所述電阻R2的另一端、三極管Q5的集電極及電容C1的一端均與所述第二施密特電路連接，所述電阻R3的一端與三極管Q5的發射極連接，所述三極管Q4的發射極、電阻R3的另一端及電容C1的另一端均接地。