[發明專利]一種高壓集成電路

在審

• 申請號: 202111371731.3
• 申請日: 2021-11-18
• 公開（公告）號: CN113949370A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 馮宇翔;左安超;潘志堅;張土明;謝榮才
• 申請（專利權）人: 廣東匯芯半導體有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567;H03K17/08
• 代理公司: 江門市博盈知識產權代理事務所(普通合伙) 44577
• 代理人: 何辦君

1.一種高壓集成電路，包括信號輸入電路、第一施密特電路、濾波器、電平轉換電路、高壓DOMS電路、RS觸發器及信號輸出電路，其特征在于：還包括溫控雙脈沖電路，所述第一施密特電路分別與信號輸入電路及濾波器電性連接，所述電平轉換電路與所述濾波器電性連接，所述溫控雙脈沖電路分別與所述電平轉換電路及高壓DOMS電路電性連接，所述RS觸發器分別與所述高壓DOMS電路及信號輸出電路電性連接。

2.根據權利要求1所述的高壓集成電路，其特征在于：所述溫控雙脈沖電路由一個溫控延遲電路、兩個單脈沖GEN電路、以及兩個或門組成。

3.根據權利要求2所述的高壓集成電路，其特征在于：所述或門包括第一或門及第二或門，所述第一或門及第二或門分別與所述單脈沖GEN電路電性連接，所述電平轉換電路分別與單脈沖GEN電路及溫控延遲電路電性連接，所述溫控延遲電路分別與所述電平轉換電路及單脈沖GEN電路電性連接。

4.根據權利要求3所述的高壓集成電路，其特征在于：所述溫控延遲電路包括帶隙基準電路、PMOS管Q3、電容C1、第二施密特電路及脈沖寬度調節電路，所述電平轉換電路的輸出端分別與所述POMC管Q3及脈沖寬度調節電路電性連接，所述帶隙基準電路分別與電容C1及第二施密特電路電性連接，所述第二施密特電路與所述單脈沖GEN電路電性連接。

5.根據權利要求4所述的高壓集成電路，其特征在于：所述帶隙基準電路包括由電阻R1、電阻R2、電阻R3、三極管Q4及三極管Q5組成。

6.根據權利要求5所述的高壓集成電路，其特征在于：所述電阻R1的一端及電阻R2的極端均與三極管Q3的漏極連接，所述電阻R1的另一端、三極管Q4的集電極及三極管Q4的基極均與三極管Q5的基極連接，所述電阻R2的另一端、三極管Q5的集電極及電容C1的一端均與所述第二施密特電路連接，所述電阻R3的一端與三極管Q5的發射極連接，所述三極管Q4的發射極、電阻R3的另一端及電容C1的另一端均接地。