[發明專利]一種濾波器及其制備方法

在審

• 申請號: 202111371683.8
• 申請日: 2021-11-18
• 公開（公告）號: CN114070222A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 馮昱霖;李月;韓基挏;肖月磊;曹雪;宋雪超;龔林;周毅;常文博;吳藝凡;周柏君;安齊昌;曲峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H03H1/00
• 分類號: H03H1/00;H03H3/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 李迎亞;姜春咸

本公開提供一種濾波器及其制備方法，屬于射頻器件技術領域。本公開提供一種濾波器，其包括疊層設置的第一基板和第二基板。其中，第一基板包括第一介質基板，以及集成在第一介質基板上的濾波電路。第二基板包括第二介質基板，第二介質基板包括沿其厚度方向相對設置的第一表面和第二表面，在第一表面上設置有轉接電路。轉接電路與濾波電路電連接，第二介質基板上設置有在其厚度方向上貫穿的第一連接過孔，在第一連接過孔中設置信號引入電極，在第二表面上設置有第一連接端，信號引入電極一端與第一連接端電連接，另一端與轉接電路電連接。

技術領域

本公開屬于射頻器件技術領域，具體涉及一種濾波器及其制備方法。

背景技術

在當代，消費電子產業發展日新月異，以手機特別是5G手機為代表的移動通信終端發展迅速，手機需要處理的信號頻段越來越多，需要的射頻芯片數量也水漲船高，而獲得消費者喜愛的手機形式向小型化、輕薄化、長續航不斷發展。在傳統手機中，射頻PCB板上存在大量的分立器件如電阻、電容、電感、濾波器等，它們具有體積大、功耗高、焊點多、寄生參數變化大的缺點，難以應對未來的需求。射頻芯片相互間的互聯、匹配等需要面積小、高性能、一致性好的集成無源器件。目前市場上的集成無源器件主要是基于Si(硅)襯底和GaAs(砷化鎵)襯底。Si基集成無源器件具有價格便宜的優點，但Si本身有微量雜質(絕緣性差)導致器件微波損耗較高，性能一般；GaAs基集成無源器件具有性能優良的優點，但價格昂貴。

發明內容

本公開旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提供一種濾波器及其制備方法。

第一方面，本公開提供一種濾波器，其包括疊層設置的第一基板和第二基板；其中，所述第一基板包括第一介質基板，以及集成在所述第一介質基板上的濾波電路；所述第二基板包括第二介質基板，所述第二介質基板包括沿其厚度方向相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有轉接電路；所述轉接電路與所述濾波電路電連接；其中，所述第二介質基板上設置有在其厚度方向上貫穿的第一連接過孔，在所述第一連接過孔中設置信號引入電極，在所述第二表面上設置有第一連接端，所述信號引入電極一端與所述第一連接端電連接，另一端與所述轉接電路電連接。

其中，所述第一介質基板包括沿其厚度方向相對設置的第三表面和第四表面，以及沿其厚度方向設置的第二連接過孔；所述濾波電路至少包括第一電感；所述第一電感包括：設置在所述第一介質基板的所述第三表面的第一子結構、設置在所述第一介質層的所述第四表面的第二子結構以及設置在所述第二連接過孔內將所述第一子結構和所述第二子結構串接的第一連接電極。

其中，所述濾波電路還包括：第一電容；所述第一電容設置在所述第一介質基板的所述第三表面背離所述第一介質基板一側，其包括背離所述第一介質基板方向依次設置的第一極板、第一層間介質層以及第二極板。

其中，所述第一子結構包括第一導電薄膜和第二導電薄膜；所述第一導電薄膜與所述第一電容的第一極板同層設置；在所述第一電容的第一極板背離所述第一介質基板一側依次設置有第二層間介質層和第三層間介質層；所述第二導電薄膜設置在所述第三層間介質層背離所述第一介質基板一側；所述第二導電薄膜通過貫穿所述第二層間介質層和所述第三層間介質層的第三連接過孔與所述第一導電薄膜電連接。

其中，所述濾波電路還包括：與所述第二導電薄膜同層設置的第二連接電極；所述第二連接電極通過貫穿所述第三層間介質層的第四連接過孔與所述第一電容的第二極板電連接；在所述第二導電薄膜背離所述第一介質基板一側設置有第四層間介質層和第五層間介質層；在背離所述第五層間介質層一側設置有第一連接焊盤和第二連接焊盤；所述第一連接焊盤通過貫穿所述第四層間介質層和所述第五層間介質層的第五連接過孔與所述第二連接電極電連接；所述第二連接焊盤通過貫穿所述第四層間介質層和所述第五層間介質層的第六連接過孔與所述第二導電薄膜電連接。

其中，所述第一連接焊盤和所述第二連接焊盤分別焊接在所述轉接電路上。