[發明專利]一種采用射頻磁控濺射法制備二氧化釩薄膜的方法有效
| 申請號: | 202111370877.6 | 申請日: | 2021-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN114059032B | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 田宏偉;劉鴻旭;楊俊;于陜升 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人: | 霍苗 |
| 地址: | 130012 吉林*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 射頻 磁控濺射 法制 氧化 薄膜 方法 | ||
1.一種二氧化釩薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在真空反應室中,采用射頻磁控濺射法,在基底表面濺射二氧化釩后,升高基底溫度進行原位退火,得到二氧化釩薄膜;所述基底和二氧化釩薄膜之間不設置緩沖層;
所述射頻磁控濺射的條件為:所述基底的溫度為250~300℃;氬氣通入反應室的流速為0.8sccm;氧氣通入反應室的流速為40sccm;反應室的氣壓為0.8Pa;濺射時間為15~20min;濺射功率為95W;
所述原位退火的溫度為460~520℃,保溫時間為200s;
升溫至所述原位退火的溫度的時間≤7s;
進行所述濺射前,對所述基底進行清洗;
所述清洗包括在超聲條件下,依次用丙酮、無水乙醇和水進行清洗;
所述濺射采用的靶材為純度為99.9%的釩靶;
進行所述濺射前,對所述靶材進行預濺射;
進行所述濺射時,所述基底與靶材的距離為80mm,所述基底的轉速為25rad/s。
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