[發明專利]一種3D NAND存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202111369255.1
• 申請日: 2021-11-18
• 公開（公告）號: CN114093811A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 陳亮;劉威;黃詩琪
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

1.一種3D NAND存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有犧牲層和介質層交替層疊的堆疊層；

刻蝕所述堆疊層，以在所述堆疊層中形成多個柵線隔離縫隙，所述柵線隔離縫隙貫穿所述堆疊層至所述襯底，所述多個柵線隔離縫隙形成在偽存儲區域，所述偽存儲區域將所述堆疊層分為多個存儲區域；

向所述柵線隔離縫隙中填充絕緣層；

刻蝕所述絕緣層，形成連接孔，所述連接孔貫穿所述絕緣層至所述襯底；

進行所述連接孔的金屬填充。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述柵線隔離縫隙包括第一隔離縫隙和第二隔離縫隙，所述第一隔離縫隙靠近所述存儲區域；

還包括：

從所述襯底進行刻蝕以形成貫穿所述襯底的接觸孔；所述接觸孔暴露所述第二隔離縫隙的連接孔內填充的金屬；

進行所述接觸孔的金屬填充。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述絕緣層包括：

僅刻蝕所述第二隔離縫隙中的絕緣層；

還包括：

從所述襯底進行刻蝕以形成貫穿所述襯底的隔離通孔；所述隔離通孔靠近所述存儲區域并暴露所述第一隔離縫隙的絕緣層；

進行所述隔離通孔的絕緣材料填充，以形成深溝槽隔離層。

4.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，在進行所述接觸孔的金屬填充之前，還包括：

沉積絕緣材料；

去除所述接觸孔底部的絕緣材料，保留所述接觸孔側壁的絕緣材料；

對所述接觸孔濕法清洗。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述存儲區域的堆疊層中形成有溝道孔，所述溝道孔貫穿所述堆疊層至所述襯底，所述溝道孔內依次形成有存儲功能層和溝道層；

在向所述柵線隔離縫隙中填充絕緣層之前，還包括：

利用所述柵線隔離縫隙去除所述犧牲層，形成開口；

在所述開口中形成柵極層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在進行所述連接孔的金屬填充之后，還包括：

在所述堆疊層上形成鍵合層，所述鍵合層包括金屬鍵合層；

所述金屬鍵合層與所述連接孔內的金屬電連接。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅層，所述連接孔內的填充的金屬為鎢。

8.一種3D NAND存儲器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上形成有犧牲層和介質層交替層疊的堆疊層；

所述堆疊層中具有多個柵線隔離縫隙，所述柵線隔離縫隙貫穿所述堆疊層至所述襯底；所述多個柵線隔離縫隙形成在偽存儲區域，所述偽存儲區域將所述堆疊層分為多個存儲區域；

所述柵線隔離縫隙中形成有絕緣層和連接孔；所述連接孔貫穿所述絕緣層至所述襯底；

所述連接孔內有金屬填充。

9.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，還包括：

貫穿所述襯底以暴露所述連接孔內金屬的接觸孔以及貫穿所述襯底的隔離通孔；

所述接觸孔內有金屬填充，所述隔離通孔內形成有深溝槽隔離層。

10.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，還包括：

所述堆疊層上形成有鍵合層，所述鍵合層包括金屬鍵合層；

所述金屬鍵合層與所述連接孔內的金屬電連接。