[發(fā)明專利]一種3D NAND存儲(chǔ)器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111369255.1
• 申請(qǐng)日: 2021-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN114093811A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳亮;劉威;黃詩(shī)琪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N3D NAND存儲(chǔ)器件及其制造方法，多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域通過(guò)偽存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行分隔，刻蝕堆疊層以在偽存儲(chǔ)區(qū)域中形成多個(gè)柵線隔離縫隙，通過(guò)在柵線隔離縫隙中填充絕緣層，并刻蝕絕緣層得到貫穿絕緣層至襯底的連接孔，在連接孔中填充金屬，以在柵線隔離縫隙中形成接觸插塞，最終通過(guò)多個(gè)接觸插塞形成從3D NAND存儲(chǔ)器件的一側(cè)表面至相對(duì)的另一側(cè)表面的電連接。由此可見，本申請(qǐng)通過(guò)在柵線隔離縫隙中形成接觸插塞，能夠在3D NAND存儲(chǔ)器件中形成足夠的接觸插塞，并且能夠避免降低存儲(chǔ)區(qū)域占據(jù)存儲(chǔ)器件的面積，提高存儲(chǔ)器件的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造領(lǐng)域，特別涉及一種3D NAND存儲(chǔ)器件及其制造方法。

背景技術(shù)

NAND存儲(chǔ)器件是具有功耗低、質(zhì)量輕且性能佳的非易失存儲(chǔ)產(chǎn)品，在電子產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。平面結(jié)構(gòu)的NAND器件已近實(shí)際擴(kuò)展的極限，為了進(jìn)一步的提高存儲(chǔ)容量，降低每比特的存儲(chǔ)成本，提出了3D NAND存儲(chǔ)器件。

但是當(dāng)前的3D NAND存儲(chǔ)器件存在存儲(chǔ)性能不夠優(yōu)越的情況，不能滿足高性能存儲(chǔ)的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N3D NAND存儲(chǔ)器件及其制造方法，能夠在3D NAND存儲(chǔ)器件中形成足夠的接觸插塞，提高存儲(chǔ)器件的性能。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種3D NAND存儲(chǔ)器件的制造方法，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有犧牲層和介質(zhì)層交替層疊的堆疊層；

刻蝕所述堆疊層，以在所述堆疊層中形成多個(gè)柵線隔離縫隙，所述柵線隔離縫隙貫穿所述堆疊層至所述襯底，所述多個(gè)柵線隔離縫隙形成在偽存儲(chǔ)區(qū)域，所述偽存儲(chǔ)區(qū)域?qū)⑺龆询B層分為多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域；

向所述柵線隔離縫隙中填充絕緣層；

刻蝕所述絕緣層，形成連接孔，所述連接孔貫穿所述絕緣層至所述襯底；

進(jìn)行所述連接孔的金屬填充。

可選地，所述柵線隔離縫隙包括第一隔離縫隙和第二隔離縫隙，所述第一隔離縫隙靠近所述存儲(chǔ)區(qū)域；

還包括：

從所述襯底進(jìn)行刻蝕以形成貫穿所述襯底的接觸孔；所述接觸孔暴露所述第二隔離縫隙的連接孔內(nèi)填充的金屬；

進(jìn)行所述接觸孔的金屬填充。

可選地，所述刻蝕所述絕緣層包括：

僅刻蝕所述第二隔離縫隙中的絕緣層；

還包括：

從所述襯底進(jìn)行刻蝕以形成貫穿所述襯底的隔離通孔；所述隔離通孔靠近所述存儲(chǔ)區(qū)域并暴露所述第一隔離縫隙的絕緣層；

進(jìn)行所述隔離通孔的絕緣材料填充，以形成深溝槽隔離層。

可選地，在進(jìn)行所述接觸孔的金屬填充之前，還包括：

沉積絕緣材料；

去除所述接觸孔底部的絕緣材料，保留所述接觸孔側(cè)壁的絕緣材料；

對(duì)所述接觸孔濕法清洗。

可選地，所述存儲(chǔ)區(qū)域的堆疊層中形成有溝道孔，所述溝道孔貫穿所述堆疊層至所述襯底，所述溝道孔內(nèi)依次形成有存儲(chǔ)功能層和溝道層；

在向所述柵線隔離縫隙中填充絕緣層之前，還包括：

利用所述柵線隔離縫隙去除所述犧牲層，形成開口；

在所述開口中形成柵極層。

可選地，在進(jìn)行所述連接孔的金屬填充之后，還包括：