[發明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 202111367982.4 | 申請日: | 2021-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN114122220B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發明(設計)人: | 鄭玄宗;施景耀;王錚亮 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/44 | 分類號: | H01L33/44;H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本發明公開了一種顯示裝置,包括:電路基板、二氧化硅圖案以及多個發光元件。二氧化硅圖案位于電路基板上,且具有多個開口。多個發光元件位于電路基板上,且電性連接電路基板,其中多個發光元件分別位于多個開口中,且鄰接二氧化硅圖案。此外,還提出一種顯示裝置的制造方法。
技術領域
本發明是有關于一種顯示裝置及其制造方法,且特別是有關于一種具有改善的顯示品質的顯示裝置及其制造方法。
背景技術
由于微型發光二極管(Micro LED)的尺寸極小,且微型發光二極管顯示裝置所需的發光二極管間距不一,目前制作微型發光二極管顯示裝置的方法是采用巨量轉移(MassTransfer)技術,亦即利用微機電陣列技術進行發光二極管晶粒取放,以將大量的發光二極管晶粒搬運到具有像素電路的電路基板上,同時調整晶粒的間距。
然而,由于轉移載板的支撐力不足,造成單次轉移的晶粒數量受限,目前只能以多區塊轉移及拼接的方式來設置顯示裝置所需的微型發光二極管晶粒,導致拼接所致的亮度不均(Mura)現象出現,因而顯示品質不佳。
發明內容
本發明提供一種顯示裝置,具有改善的顯示品質。
本發明的一個實施例提出一種顯示裝置,包括:電路基板;二氧化硅圖案,位于電路基板上,且具有多個開口;以及多個發光元件,位于電路基板上,且電性連接電路基板,其中多個發光元件分別位于多個開口中,且鄰接二氧化硅圖案。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括離型層,其中二氧化硅圖案及發光元件位于電路基板與離型層之間。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括隔離結構,其中離型層位于隔離結構與二氧化硅圖案之間。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括色轉換結構,位于隔離結構之間。
在本發明的一實施例中,上述的發光元件的頂面面積與底面面積不同。
在本發明的一實施例中,上述的電路基板具有多個凹槽,且二氧化硅圖案位于多個凹槽中。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括光吸收圖案,其中二氧化硅圖案覆蓋光吸收圖案。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括反射圖案,其中二氧化硅圖案覆蓋反射圖案。
在本發明的一實施例中,上述的反射圖案靠近離型層側的寬度小于反射圖案遠離離型層側的寬度。
本發明的一個實施例提出一種顯示裝置的制造方法,包括:提供生長基板;形成離型層于生長基板上;形成二氧化硅圖案于離型層上,且二氧化硅圖案具有多個第一開口;以及形成多個發光元件于離型層上,且多個發光元件分別位于多個第一開口中。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的制造方法還包括提供電路基板,且將發光元件與電路基板電性連接。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的制造方法還包括移除生長基板,以露出離型層。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的制造方法還包括形成隔離結構于離型層上。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的制造方法還包括形成色轉換結構于隔離結構之間。
在本發明的一實施例中,上述的形成二氧化硅圖案于離型層上的步驟包括:形成光吸收圖案于離型層上,且光吸收圖案具有多個第二開口;以及形成二氧化硅圖案覆蓋光吸收圖案。
在本發明的一實施例中,上述的形成二氧化硅圖案于離型層上的步驟包括:形成反射圖案于離型層上,且反射圖案具有多個第三開口;以及形成二氧化硅圖案覆蓋反射圖案。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附圖式作詳細說明如下。
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